虹晶推出ARM926EJ-S省電硬核

　　在能源節節高漲的趨勢下，市場(chǎng)需求已從致力追求高速表現，逐漸轉變?yōu)樾枰婢呤‰?、省能源、延長(cháng)使用壽命等考慮并重。 為符合這樣的市場(chǎng)需求，SoC 設計服務(wù)暨IP銷(xiāo)售領(lǐng)導廠(chǎng)商 虹晶科技，繼推出ARM926EJ-S硬核，于90奈米制程其頻率頻率高達533MHz后，再度優(yōu)化 ARM926EJ-S硬核 90奈米制成，于低功率（Low Power）制成技術(shù)時(shí)可達頻率頻率 266MHz，靜態(tài)功耗50mw，幫助客戶(hù)在選擇低耗電量方案時(shí)，同時(shí)兼具高速的享受。

　　新世代消費性產(chǎn)品市場(chǎng)迅速且蓬勃的發(fā)展，可攜式數字多媒體開(kāi)發(fā)MP3 、PMP，以及各種影音多媒體應用等 SoC 設計，低功率設計已成為這些主賴(lài)電池供電產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)，不可或缺且高標準的規格需求，電池使用壽命是評估這類(lèi)產(chǎn)品很重要的一個(gè)指標，實(shí)際上，這類(lèi)產(chǎn)品成功的關(guān)鍵正是取決于該產(chǎn)品的重量、價(jià)格以及電池使用壽命。但目前，電池的價(jià)格與重量成為降低系統價(jià)格與重量的瓶頸，只有采用低功率技術(shù)才是真正解決該問(wèn)題的最有效的途徑。虹晶科技自2005年起，領(lǐng)先同業(yè)推出ARM926EJ-S硬核及SoC芯片方案于臺積電、新加坡特許、聯(lián)電、中芯等各主要晶圓代工廠(chǎng)，此次虹晶科技將ARM926EJ于90奈米制成利用完整低功率設計技術(shù)，成功地達到頻率頻率高達266MHz而面積僅有1.28mm2，較一般業(yè)界減少15%的面積比例，值得注目的是于待機狀態(tài)時(shí)功耗成功地縮減為50mw，堪稱(chēng)為目前市面上面積最小、速度最快之低功率芯片設計，此外，客戶(hù)也可以搭配上虹晶低功率設計之硅智財（IP）及系統單芯片(SOC Platform)解決方案，來(lái)提供完整及市場(chǎng)領(lǐng)先的低功率產(chǎn)品設計。低功率的概念對整個(gè)系統的影響巨大，不僅僅局限于電池供電的可攜式設備，無(wú)論是從產(chǎn)品差異化、上市時(shí)程、IC成本與封裝，或是良率、可靠性、終端產(chǎn)品成本與尺寸，以及散熱方法等角度考慮，低功率芯片對每一種系統的設計開(kāi)發(fā)來(lái)說(shuō)都是關(guān)鍵議題。

　　虹晶科技研發(fā)協(xié)理 康周德表示：「虹晶科技一直以來(lái)都扮演著(zhù)ARM 處理器優(yōu)化的開(kāi)發(fā)者及先驅?zhuān)诳蛻?hù)的設計過(guò)程中虹晶科技也是一位最佳的開(kāi)發(fā)合作伙伴，這次專(zhuān)為低功率需求所設計的Low Power ARM926EJ硬核，省電效果加倍，但效能依然位居市場(chǎng)首位，很高興能為客戶(hù)有效地達到高速又省電的需求，未來(lái)虹晶科技將更努力朝向90奈米及65奈米制成的方向去邁進(jìn)，以保持一貫的科技技術(shù)領(lǐng)導先驅?zhuān)矠榭蛻?hù)持續提供最新、最頂尖的SoC設計技術(shù)?！?/P>