新興終端用戶(hù)驅動(dòng)分立功率半導體市場(chǎng)增長(cháng)

    金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)領(lǐng)域的革新，多少彌補了這個(gè)成熟產(chǎn)品領(lǐng)域缺乏技術(shù)創(chuàng )新的現狀。這些革新有益于促使將分立功率半導體引入新應用，并且探索新的終端用戶(hù)市場(chǎng)機會(huì )。 

　　根據Frost & Sullivan日前發(fā)布的全球分立功率半導體市場(chǎng)調查，2005年該市場(chǎng)年收入為104.9億美元，預計2009年將發(fā)展到144.2億美元。Frost & Sullivan高級研究分析員Bonnie Varghese K表示，“汽車(chē)中電子產(chǎn)品逐漸增加，以及通信和電子玩具市場(chǎng)火爆都對分立功率半導體銷(xiāo)售帶來(lái)積極影響。行業(yè)經(jīng)歷了一次完整的復蘇過(guò)程，并且預計未來(lái)幾年增長(cháng)還將持續?！?nbsp;

　　消費電子、通信技術(shù)和汽車(chē)市場(chǎng)銷(xiāo)售增長(cháng)推動(dòng)了分立功率半導體市場(chǎng)，尤其在亞洲市場(chǎng)，這些應用貢獻了分立功率器件年銷(xiāo)售收入的一半以上。 

　　盡管終端用戶(hù)市場(chǎng)出現增長(cháng)，但半導體閘流管、整流器和雙極晶體管缺乏技術(shù)革新。由于沒(méi)有明顯的技術(shù)進(jìn)步，產(chǎn)品無(wú)差別化導致部分制造商已開(kāi)始放棄這些產(chǎn)品。另外，制造商為了增加銷(xiāo)售量壓低價(jià)格，經(jīng)常導致收入負增長(cháng)或者零利潤。僅僅少量公司在整流  
器研發(fā)中進(jìn)行投資，并且這些公司也沒(méi)有承諾長(cháng)期投資開(kāi)發(fā)。 

　　Varghese解釋?zhuān)巴ㄓ谜髌魇袌?chǎng)急劇下滑，但肖特基整流器很有可能實(shí)現增長(cháng)。盡管有將整流器功能集成到其他功率半導體的趨勢，但一些終端用戶(hù)聲稱(chēng)這樣會(huì )對分立器件的效率帶來(lái)消極影響?！?nbsp;

　　由于在制造過(guò)程和效率方面不斷改進(jìn)，MOSFET和IGBT的性能已經(jīng)有了很大提高。通過(guò)減少漏源電阻(drain-source resistance)、提供低傳導損耗、更高功率級別、更快速轉換速度，更低轉換損耗和更小的封裝尺寸，應用和設計人員不斷提高這些器件的性能表現。在低價(jià)格和附加功能幫助下，MOSFET和IGBT增加和保持了市場(chǎng)份額。