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意法、英特爾新閃存公司前景難料

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作者: 時(shí)間:2007-06-29 來(lái)源: 收藏

意法半導體(ST)、英特爾和私募基金公司Francisco Partners于日前正式宣布合資成立新公司,新公司合并后年營(yíng)收達到36億美元,市場(chǎng)占有率超過(guò)40%。在價(jià)格如“過(guò)山車(chē)”一般直線(xiàn)下滑、需要不斷追求規?;c低成本化的閃存市場(chǎng),這樣的出招既在情理之中、又在意料之中。此次英特爾、ST雙方聯(lián)手旨在沖擊閃存供應商頭號位置,未來(lái)能否達成所愿還存諸多變數。

過(guò)去時(shí):成績(jì)單是虧損單 聯(lián)手意在救火

對于兩家公司而言,NOR閃存業(yè)務(wù)已成燙手山芋。翻閱2006年他們的成績(jì)單:2006財年ST的NAND和NOR閃存業(yè)務(wù)總營(yíng)收為15.7億美元,虧損達5300萬(wàn)美元;英特爾閃存業(yè)務(wù)在2006年總營(yíng)收雖為21億美元,但虧損達到了6.38億美元

 而在2007年第一季度,依然虧損態(tài)勢不減。在2007年一季度兩家公司的閃存業(yè)務(wù)繼續虧損嚴重,ST閃存業(yè)務(wù)營(yíng)收僅為3.23億美元,更是虧損了1700萬(wàn)美元,創(chuàng )出歷史之最。英特爾閃存業(yè)務(wù)營(yíng)收為4.69億美元,總虧損已達2.83億美元。iSuppli高級分析師Mark Devoss接受本報記者采訪(fǎng)時(shí)表示,2006年,ST和英特爾合計占有NOR閃存的40%,Spansion占31%,Samsung占9%。而在2007年第一季度,他們的市場(chǎng)份額下滑至36%,而Spansion增長(cháng)至32%,Samsung上升到將近占13%。

 閃存業(yè)務(wù)2006年只占英特爾總營(yíng)收的6%多一點(diǎn),已是英特爾的雞肋業(yè)務(wù),將之剝離主體業(yè)務(wù)成為不二選擇。而ST于2006年的營(yíng)收為98.5億美元,在全球半導體業(yè)中排名位居前三強,它在高能效器件、汽車(chē)電子等諸多領(lǐng)域成績(jì)斐然,將閃存業(yè)務(wù)剝離亦有利于輕裝上陣。成立合資公司,不僅有助于英特爾與意法半導體能擺脫虧損的NOR閃存芯片制造業(yè)務(wù)對公司業(yè)績(jì)的影響。而且,兩者市占相加之后超過(guò)40%,有望打造一個(gè)全新的閃存王國。

意法半導體公司副總裁兼大中國區總經(jīng)理Bob Krysiak表示兩家早有合并之意。他指出,閃存市場(chǎng)特點(diǎn)決定取得成功需要大規模的制造和量產(chǎn)能力,在過(guò)去的兩年里,ST和英特爾都沒(méi)有在這一領(lǐng)域賺到錢(qián),雙方意識到必須進(jìn)行整合。早在一年前,兩家公司就開(kāi)始探討合作的可行性。Bob Krysiak還表示,新合資公司在資金、制造能力等方面都得到了擴張,這是之前任何一家單獨公司都難以實(shí)現的。雙方還擁有關(guān)鍵的閃存技術(shù),有強大的研發(fā)投入與實(shí)力。Bob Krysiak對新公司前景充滿(mǎn)信心

 根據雙方協(xié)議,意法半導體將把它的閃存資產(chǎn)賣(mài)給新成立的合資企業(yè),包括它在與海力士半導體在中國興建的合資企業(yè)中的資產(chǎn),而英特爾將出售它的NOR資產(chǎn)和資源。英特爾將在合資企業(yè)中獲得45.1%的權益,ST將擁有合資企業(yè)48.6%的權益。新公司預計于今年第四季度開(kāi)始運營(yíng)。談及對業(yè)界的影響,iSuppli高級分析師Mark Devoss表示,新合資公司將使NOR閃存平均銷(xiāo)售價(jià)格下降的趨勢減緩;另一方面,合資公司很難長(cháng)時(shí)間維持40%的市場(chǎng)份額。雖然ST和英特爾的NOR業(yè)務(wù)有不同的客戶(hù)群,但他們不是第一大供應商就是第二大供應商,在某些手機制造商中的份額甚至超過(guò)80%。在合資后我們預計這些制造商會(huì )重新分配他們的NOR,而這意味著(zhù)將為Spansion、Samsung、Toshiba帶來(lái)新的增長(cháng)機會(huì ),這也是ST和英特爾成立合資公司所付出的代價(jià)

現在時(shí):NAND競爭激烈NOR縮水 難關(guān)重重

意法半導體公司副總裁兼大中國區總經(jīng)理Bob Krysiak表示,此次合資公司英特爾以NOR投入為主,而意法半導體則NOR和NAND都供應,新合資公司NOR與NAND的生產(chǎn)比例大約為7∶3,未來(lái)還會(huì )增加相變存儲器產(chǎn)品的比例。

然而閃存市場(chǎng)增長(cháng)正在趨緩。存儲器市場(chǎng)包括DRAM、閃存(分為NOR和NAND)、SRAM。半導體業(yè)專(zhuān)家莫大康表示,2006年全球存儲器總產(chǎn)值600多億美元,其中DRAM占330億美元,NAND為130億美元,NOR為85億美元。而今年整體存儲器市場(chǎng)處于供大于求的狀況。iSuppli高級分析師Mark Devoss指出,NOR和NAND閃存業(yè)面臨極大壓力,兩者都由于其售價(jià)(ASP)在2006年-2007年期間大幅度下降而受到嚴重影響。以512Mb NAND閃存來(lái)算已下降60%,因為NAND閃存容量已從64Mb擴展到32Gb,而從1Mb到1Gb不等的NOR閃存價(jià)格平均大概下降12%。

 雖然NAND市場(chǎng)走勢趨好,但NAND閃存競爭的戰國時(shí)代已然展開(kāi),制程升級不斷加快。三星4月29日宣稱(chēng)將開(kāi)始量產(chǎn)50nm級的16Gb MLC產(chǎn)品。而IM Flash Technology也于4月25日宣稱(chēng)送樣50nm級16Gb MLC產(chǎn)品。此外,東芝計劃在2007年第二季度推出此產(chǎn)品。并且,IMFT將于2008年啟用35nm制程技術(shù),采用35nm制程技術(shù)將進(jìn)一步降低NAND閃存芯片生產(chǎn)成本。iSuppli高級分析師Mark Devoss表示,目前英特爾在NOR領(lǐng)域具有先進(jìn)的65nm節點(diǎn)技術(shù),但批量供應還主要基于130nm和90nm節點(diǎn)技術(shù)。ST也大致應用相當的制程技術(shù)。所有的產(chǎn)品在200mm晶圓制造,目前還沒(méi)有跡象表明將轉到300mm晶圓制造。而何時(shí)會(huì )采用45nm技術(shù),這主要是由新公司決定。因而,英特爾、ST合資企業(yè)如何在制程技術(shù)上先行,從而盡快降低生產(chǎn)成本,將決定它未來(lái)的市場(chǎng)表現

另一方面,存儲器的產(chǎn)能卻在激增。據SMA統計,2006年全行業(yè)投產(chǎn)7條存儲器生產(chǎn)線(xiàn),今年將新投產(chǎn)9條,分別產(chǎn)能相應增加61萬(wàn)片及91.5萬(wàn)片(8英寸計)。而競爭對手也在加緊圈地,如最近東芝與新帝合作投資70億美元擴建12英寸廠(chǎng)生產(chǎn)NAND閃存。應用市場(chǎng)的增勢比預期的少,而產(chǎn)能激增,導致存儲器價(jià)格如同坐了“過(guò)山車(chē)”一樣直線(xiàn)下滑。莫大康表示,實(shí)際上市場(chǎng)對于NAND閃存的價(jià)格有個(gè)心理價(jià)位,如果降低30%,還有微利,但今年1-5月份,已下滑60%。<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 反觀(guān)NOR閃存芯片市場(chǎng)亦在相應縮水。據市場(chǎng)調研公司iSuppli的統計,由于受其他種類(lèi)內存芯片沖擊市場(chǎng)的影響,全球NOR閃存芯片業(yè)務(wù)在2007年第一季度的營(yíng)收下降了12%,為19億美元。這直接給NOR閃存芯片的售價(jià)及整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)沖擊,在NOR閃存芯片市場(chǎng)想要尋找真正的增長(cháng)已不現實(shí)

 在全球NOR閃存領(lǐng)域,Spansion目前坐頭把交椅。Spansion對于此次英特爾與意法半導體在閃存業(yè)務(wù)上的合并反應并不如想象中強烈?!拔覀兒芨吲d地看到NOR閃存行業(yè)的整合將使市場(chǎng)變得更為成熟。雖然我們將面臨一個(gè)更強大的競爭對手,但兩家公司在NOR閃存業(yè)務(wù)上合并后,將不再存在兩者間的第二貨源問(wèn)題,這樣我們相信我們會(huì )有機會(huì )擴大我們的客戶(hù)群?!盨pansion總裁兼CEO Bertrand Cambou表示

Spansion表示,這將使客戶(hù)對供應商的選擇多樣化,市場(chǎng)價(jià)格也更趨于穩定和理性,從而為Spansion提供了良好的機遇以獲取更多的市場(chǎng)份額。Spansion強調其競爭優(yōu)勢在于:我們仍然是唯一一家投資300mm晶圓制造能力的NOR閃存供應商,并且正在逐步實(shí)施我們具有突破性的計劃——在2007年實(shí)現65nm MirrorBit技術(shù)在300mm晶圓上的量產(chǎn),以及在2008年推出45nm MirrorBit技術(shù)。我們堅信通過(guò)這些計劃的實(shí)施,Spansion將擁有NOR閃存行業(yè)最低的成本結構,并有能力創(chuàng )造差異化的增值解決方案

 而業(yè)界之所以對于合資公司存有疑問(wèn),表現在兩家巨頭公司對于未來(lái)的進(jìn)一步投資沒(méi)有絲毫承諾。莫大康表示,存儲器業(yè)拼的是資金,需要采用最先進(jìn)的制程及12英寸硅片高的產(chǎn)能。據說(shuō)合資企業(yè)將承擔13億美元定期貸款和2.5億美元的循環(huán)信貸,更重要的事實(shí)是這些債務(wù)將都要由合資公司承擔。這意味著(zhù)英特爾和意法將不再對其合資企業(yè)的約8000名員工及36億美元的年營(yíng)收負責。英特爾和意法都沒(méi)打算向合資企業(yè)提供任何幫助,僅希望其自主奮斗?!柏撝厍靶小钡男潞腺Y公司要逾越這多重難關(guān)殊為不易。

將來(lái)時(shí):相變存儲器能否重塑新格局

 而業(yè)界關(guān)注的是,將會(huì )于近年就會(huì )實(shí)現商用的相變存儲器。在2006年6月,英特爾與ST就曾合作開(kāi)發(fā)一種結合了NOR閃存與NAND閃存特點(diǎn)的新技術(shù)PCM(相變存儲器)。據英特爾Roadmap顯示,相變存儲器其優(yōu)勢在于大于100萬(wàn)個(gè)寫(xiě)入周期,及大于10年的保存期,且無(wú)須刪除,直接就可改寫(xiě)數據,因此性能要比DRAM強多倍,將來(lái)是要替代DRAM市場(chǎng),它在初期目標市場(chǎng)將是手機和其他便攜式產(chǎn)品

ST公司曾稱(chēng),容量達數GB的PCM將采用45nm或32nm工藝、將在2007年后生產(chǎn)樣品,2008年后進(jìn)行大量生產(chǎn)。英特爾曾表示,PCM產(chǎn)品可能會(huì )采用22nm工藝,這將意味著(zhù)它的大量生產(chǎn)將在2010年之后。

但PCM亦不是英特爾和ST獨步天下的“獨門(mén)利器”。目前包括IBM公司、Spansion、三星、NEC和BAE公司等廠(chǎng)商在內的其他許多公司也在努力開(kāi)發(fā)PCM產(chǎn)品。Spansion開(kāi)始研制結合了NOR與NAND閃存特點(diǎn)的芯片,三星電子推出了OneNAND和MSystems的mDOC等產(chǎn)品,這表明圍繞閃存新技術(shù)PCM的競爭已然拉開(kāi)序幕,一輪新的較量就此展開(kāi)。作為相變存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)導者,英特爾與ST的合資公司能否借由PCM產(chǎn)品實(shí)現自我救贖,還要待兩三年后見(jiàn)分曉。

相關(guān)鏈接:多家機構看淡存儲器產(chǎn)業(yè)表現

  全球半導體貿易統計組織(WSTS)日前下調全球半導體銷(xiāo)售額預估指出,2007年全球半導體銷(xiāo)售額將增長(cháng)2.3%、達2535億美元。市調研究機構Gartner和iSuppli日前也調降對半導體業(yè)景氣預估,表示供過(guò)于求導致存儲器價(jià)格續跌為主因。上周投資機構美林則宣布調降對三星電子(Samsung Electronics)和4家存儲器供應商的投資評等,憂(yōu)心市場(chǎng)供過(guò)于求問(wèn)題將延續至下季度。WSTS也看淡存儲器產(chǎn)業(yè)表現,將2007年全球存儲器業(yè)銷(xiāo)售額預估更正為598億美元,下調幅度3.6%;對2008年銷(xiāo)售額預估則降低至641億美元,下調幅度高達5.5%。 



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