IDT推出新型DDR2產(chǎn)品 實(shí)現對存儲器模塊市場(chǎng)的領(lǐng)先承諾

　　IDT™公司 (Integrated Device Technology, Inc.；納斯達克上市代號：IDTI) 今天宣布推出多款DDR2-667寄存器雙列直插存儲器模塊（R-DIMM）新產(chǎn)品，實(shí)現其對雙列直插存儲器模塊（R-DIMMs）市場(chǎng)的領(lǐng)先承諾。新產(chǎn)品包括一系列鎖相環(huán)路（PLL）時(shí)鐘驅動(dòng)器和寄存器產(chǎn)品，以及業(yè)界唯一的DDR2-667MHz寄存器驗證板（RVB）。

　　IDT的DDR2產(chǎn)品系列支持新的高性能速度等級標準，擴展了其業(yè)界領(lǐng)先優(yōu)勢，為用戶(hù)提供了完整的DIMM產(chǎn)品和測試平臺。R-DIMM的典型的應用是工作站、服務(wù)器、存儲設備和諸如路由器的電信產(chǎn)品。DDR2-667 RVB是IDTJEDEC驗證任務(wù)組為滿(mǎn)足當前JEDEC標準所規定的嚴格工業(yè)要求的元件性能而設計的。IDT還在2005年3月31日至4月1日圣何塞舉行的2005 JEDEX會(huì )議上展示了其支持DDR2 DIMM的產(chǎn)品和RVB。

　　IDT DIMM支持產(chǎn)品部戰略市場(chǎng)經(jīng)理Kavita Hegde表示：“利用我們新型的DDR2-667寄存器 驗證板，IDT可與業(yè)界分享設計專(zhuān)長(cháng)，促進(jìn)工業(yè)的進(jìn)展，并有助于實(shí)現下一代DDR2解決方案網(wǎng)絡(luò )。我們計劃與JEDEC繼續合作，定義未來(lái)的DDR寄存器,和PLL標準和測試方法。我們的新型時(shí)鐘和寄存器產(chǎn)品的實(shí)用性進(jìn)一步擴展了我們在寄存器DIMM領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，顯示了我們設計和制造創(chuàng )新解決方案的能力?！?/P>

　　JEDEC模塊委員會(huì )主席兼董事會(huì )主席、Samsung公司的Mian Quddus表示：“通過(guò)在開(kāi)發(fā)創(chuàng )新的寄存器驗證板方面的繼續投資，IDT幫助建立了使DDR2 DIMM技術(shù)得以推廣的DDR2網(wǎng)絡(luò )。IDT已在開(kāi)發(fā)DDR2解決方案方面顯示出了專(zhuān)長(cháng)，我對其將自己的能力與整個(gè)業(yè)界分享深表欣慰?！?/P>

　　IDT支持所有667MHz的模塊配置

　　新的DDR2寄存器和PLL產(chǎn)品能處理高達667 MHz的工作頻率。擴展的IDT產(chǎn)品可為從系統主板到DIMM上的SDRAMs提供用于同步輸入時(shí)鐘信號的PLL時(shí)鐘驅動(dòng)器。該器件無(wú)需外部元件，可以保證非常低的相位誤差、動(dòng)態(tài)相位補償、靜態(tài)相位補償、Skew歪斜率和抖動(dòng)，同時(shí)可使頻率和工作周期維持在正常的電壓和溫度范圍。在正常的電壓和溫度范圍內，維持輸出信號的頻率精度和占空比。

　　新的寄存器驅動(dòng)地址信號支持1∶1（25位）和1∶2（14位）的配置，使設計者可在多DIMM配置中只使用一個(gè)器件。寄存器通過(guò)專(zhuān)門(mén)的輸出邊緣控制電路系統優(yōu)化DDR2 DIMM負載，該電路可提供最小限度的開(kāi)關(guān)噪聲，在非常駐線(xiàn)上得到優(yōu)異的信號完整性和性能。該器件也支持低功率待機操作，是有低功耗嚴格要求的系統的理想選擇。該器件具有擴展頻譜容錯能力，能夠減少電磁干擾，為關(guān)鍵任務(wù)網(wǎng)絡(luò )應用帶來(lái)更高的可靠性。

　　IDT的DDR2 DIMM寄存器和PLL產(chǎn)品

　　IDT是時(shí)鐘管理和邏輯解決方案的領(lǐng)先供應商，擁有為寄存器DIMM市場(chǎng)開(kāi)發(fā)完整產(chǎn)品線(xiàn)的核心能力。除了新的DDR2-667產(chǎn)品之外，IDT還為業(yè)界設計了DDR2-400/533 RVB，并首度推出了JEDEC兼容的DDR2-400/533寄存器和用于寄存器DIMM的PLL。這些器件的目標是為了滿(mǎn)足了日益增長(cháng)的存儲器市場(chǎng)，例如服務(wù)器、工作站和通信設備對寄存器DDR2 DIMM需求。

　　新型RVB有助于最大限度提升DIMM的性能

　　IDT開(kāi)發(fā)的新的DDR2-667寄存器驗證平臺可使寄存器DIMM的前后寄存器地址總線(xiàn)的分析達到最佳性能。RVB也可使用戶(hù)迅速地觀(guān)察到DIMM上寄存器的同時(shí)開(kāi)關(guān)行為，模擬現實(shí)中特定的或最壞地址情況，實(shí)現簡(jiǎn)便而精確的測試；使用戶(hù)能夠實(shí)現可靠的測試和分析。除了寄存器測試之外，RVB還具有控制測試環(huán)境附加因素的能力，包括DIMM電壓、參考電壓、時(shí)鐘速度頻率，以及時(shí)鐘、地址和控制信號之間的定時(shí)時(shí)序關(guān)系。寄存器測試的傳統方法包括實(shí)際DIMM測試器、基準測試和封裝測試。然而，對用戶(hù)來(lái)說(shuō)，利用這些方法在標準平臺上評估寄存器是困難的。IDT的DDR2 RVB能夠提供一個(gè)類(lèi)似最終應用的簡(jiǎn)便而精確的測試環(huán)境。