基于HPWM技術(shù)的大功率正弦超聲波逆變電源

1 引 言

大功率超聲波裝置除用于工業(yè)清洗外，還在醫療、軍事、石油換能器技術(shù)，以及海洋探測與開(kāi)發(fā)、減噪防振系統、智能機器人、波動(dòng)采油等高技術(shù)領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用前景[1]。超聲波裝置由超聲波逆變電源和換能器組成。近年來(lái)，由于新型稀土功能材料的開(kāi)發(fā)和研制成功，使制造大功率超聲波換能器成為可能，但與之配套的高頻正弦逆變電源產(chǎn)品尚為少見(jiàn)。目前，市場(chǎng)上的大功率正弦逆變電源均為采用IGBT制成的中低頻產(chǎn)品[2]，而高頻逆變電源大多數是方波電源或占空比可調的脈沖逆變電源。因此，高頻大功率正弦逆變電源已成為超聲波應用的瓶頸，使得對該電源的研制已成為急待解決的問(wèn)題。這里，應用混合脈寬調制(Hybrid Pulse Width Modulation，HPWM)控制技術(shù)，采用MOSFET并聯(lián)運行方式，應用單片機組成智能控制系統，對高性能、大功率正弦超聲波逆變電源的研制進(jìn)行了研究。

2 系統構成

用于高性能、大功率正弦超聲波的逆變電源，其頻率為25kHz，功率為4．5kW。電壓要求在0～200V之間可調，頻率要求在10～25kHz之間可調。

2.1 方案的設計

圖1示出該

主電路由220V市電直接供電。單相交流電壓經(jīng)晶閘管恒流恒壓控制模塊將交流轉換為直流，為逆變器提供恒定的直流電壓。

為了使逆變能得到性能和波形比較好的正弦輸出，需要有較大的載波比。由于其載波信號將達400～600kHz，因此只能選用MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件。但是，MOSFET的輸出功率較小，為了增大輸出功率，可采用MOSFET并聯(lián)運行的方式來(lái)解決高頻與大功率間的矛盾。

逆變部分采用頻率恒定的三角載波信號與輸入的正弦波進(jìn)行異步調制?？刂品绞讲捎?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/HPWM">HPWM技術(shù)．將直流電壓逆變成一系列等幅的脈沖信號。其脈沖信號的幅度和脈寬始終與調制正弦波成正比。這些脈沖信號經(jīng)低通濾波器將高頻載波信號濾除后．即可得到與調制波同頻的正弦波輸出。因此只要改變輸入的調制波，就可容易地實(shí)現幅度可調的變頻正弦波輸出。

2.2 單片機控制系統

該電源采用專(zhuān)為控制逆變器設計的80C196MC單片機作為逆變的控制核心[4，5]。80C196MC單片機內部的波形發(fā)生器WFG，占用CPU時(shí)間非常短．可由P6口直接輸出4路PWM信號用于逆變器的驅動(dòng)。由80C196MC和EPROM2764構成最小微機系統．將完成超聲波頻率和電壓大小的給定．以及載波頻率的設定，并模擬輸出單極性正弦波恒幅脈寬調制HPWM信號?？蓪?shí)現電壓幅度和頻率的顯示．以及電源的保護控制。

2.3 逆變主電路及HPWM控制方式

在高頻下運行時(shí)，功率管的開(kāi)關(guān)損耗極大．器件易于損壞，限制了功率的提高。該電源的關(guān)鍵技術(shù)難題是在高頻條件下，如何得到大功率的變頻正弦波輸出。即逆變器的難點(diǎn)是如何降低開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，使du／dt及di／dt應力大為下降，以實(shí)現高頻逆變。為了達到這些目的。逆變主電路采用了易于實(shí)現軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的單相全橋拓撲結構．在控制方式中采用了HPWM控制方式。圖2示出逆變器的主電路拓撲。圖3示出4個(gè)開(kāi)關(guān)管的驅動(dòng)信號及逆變器的輸出信號。

HPWM控制方式的實(shí)質(zhì)仍屬于單極性SPWM控制方式。逆變橋輸出端得到的是三態(tài)輸出電壓波、形。在輸出電壓的正半周，正弦調制波與三角載波交／截產(chǎn)生的脈沖信號控制VS1和VS3橋臂高頻互補通斷；控制VS2和VS4橋臂低頻互補通斷，即VS2關(guān)斷，VS4導通。在輸出電壓的負半周，兩橋臂的工作狀態(tài)互換。VS1一直關(guān)斷，VS3一直導通，VS2和VS4高頻調制工作。HPWM控制方式中總有兩個(gè)功率管工作在低頻情況下，在總體上減少了開(kāi)關(guān)損耗，這對于在高頻下提高功率是極為有利的。與一般的SPWM控制方式相比。HPWM方式下兩個(gè)橋臂交替工作于低頻和高頻狀態(tài)，使兩個(gè)橋臂工作對稱(chēng)，功率管工作狀態(tài)均衡，這將延長(cháng)功率管的使用壽命，使整個(gè)電路的可靠性增加，具有電壓利用率高，諧波含量小，開(kāi)關(guān)損耗低的優(yōu)點(diǎn)。由于每個(gè)開(kāi)關(guān)管都并聯(lián)了電容，在濾波電感參數選擇適當的情況下，電路很容易實(shí)現開(kāi)關(guān)管的零電壓通斷(ZVS)，使du／dt及di／dt應力大為下降，完全可以實(shí)現高頻大功率逆變。

2.4 驅動(dòng)電路

開(kāi)關(guān)管的驅動(dòng)電路可采用最新的LM5111驅動(dòng)器。它采用SOIC-8腳封裝，并為輸入和輸出級提供獨立的接地及參考電壓管腳，以便支持采用分開(kāi)供電設計的門(mén)極驅動(dòng)配置。LM5111芯片的峰值輸出電流高達5A，LM5111的兩條5A電流驅動(dòng)通道可各自獨立，也可并行連接，將峰值輸出驅動(dòng)電流提高至10A，以便能以極高的效率驅動(dòng)極大的功率MOSFET。 LM5111的工作頻率高達1MHz，其開(kāi)通、關(guān)斷延遲小，分別為12ns和14ns。完全能滿(mǎn)足該電源的要求。

3 軟件實(shí)現

3.1 主程序

圖4示出主程序流程圖。它包含初始化子程序、HPWM信號產(chǎn)生子程序、鍵盤(pán)掃描和顯示子程序。初始化子程序中，80C196MC對堆棧地址及載波頻率等參數進(jìn)行初始化，并對單片機本身的各個(gè)I／O端口、中斷及波形發(fā)生器等設定工作方式?？赏ㄟ^(guò)鍵盤(pán)給定所需輸出的正弦波頻率，由顯示程序進(jìn)行顯示。顯示子程序可對電壓信號進(jìn)行定時(shí)采樣，A／D轉換后，動(dòng)態(tài)、分時(shí)顯示正弦波的頻率和幅度值。

3.2 HPWM信號產(chǎn)生子程序

HPWM是由正弦調制波與等幅的三角載波相比較產(chǎn)生的。波形發(fā)生