基于CPLD+MCU的新型光柵數顯系統設計

3.3 clk的取值

由于CPLD的采樣時(shí)鐘clk必須大于8倍光柵尺輸出的正交脈沖，因此系統不會(huì )丟失信號。該系統設計使用40 MHz有源晶體振蕩器作為CPLD的采樣時(shí)鐘源，可記錄的最大光柵傳感器輸出信號頻率為5 MHz。如果使用50線(xiàn)／mm的光柵尺，經(jīng)過(guò)CPLD的四裂相細分后，計算該光柵尺接該系統的最大不漏數加工速度為20 μm×5 MHz=100 m／s，最小分辨率為5μm。遠遠超出機床運行的極限速度，完全滿(mǎn)足實(shí)際需求。

3.4 EPM240簡(jiǎn)介

選用Altera公司的 EPM240作為CPLD，EPM240是MAX II系列器件中的一員。MAX II CPLD系列的體系結構使其在所有CPLD系列器件的單位I／O引腳的功耗和成本最低；支持高達300 MHz的內部時(shí)鐘頻率，面向通用低密度邏輯應用，MAX II CPLD可替代高功耗和高成本ASSP以及標準邏輯CPLD。

EPM240含有240個(gè)邏輯單元(LE)，等效于192個(gè)宏單元；8 192 bit的用戶(hù)Flash存儲器，可滿(mǎn)足用戶(hù)小容量信息存儲要求；最大用戶(hù)I／O數為80，最快速度為4.5 ns，完全滿(mǎn)足系統設計要求。

4 MCU掉電數據存儲

掉電數據存儲是系統設計的另一重要功能，要求高可靠性。系統在掉電時(shí)應保存光柵尺的當前位置信息，下次開(kāi)機時(shí)通過(guò)調用上次掉電時(shí)保存的位置信息恢復系統。因此，掉電瞬間，掉電報警電路將迅速響應，向MCU發(fā)出報警信號；MCU檢測到報警信號后，馬上進(jìn)行相應處理，將當時(shí)光柵尺的當前位置信息存入EEPROM。其硬件電路如圖4所示。

為了提高M(jìn)CU的掉電響應速度，增強系統可靠性，系統設計采用新的增強型51單片機STC-89C516RD。該器件具有1 KB RAM和高達64 KB大容量ROM，ISP功能，指令周期有6clock和12clock兩種可選模式。使用20 MHz晶體振蕩器，采用6clock模式燒寫(xiě)時(shí)，單指令周期的程序執行時(shí)間僅為0.3μs，比普通51單片機在最高24 MHz晶體振蕩器下的運行速度要快得多。因此，大大縮短了掉電數據存儲程序的執行時(shí)間。

4.1 掉電報警電路

選用超小型高精度電壓檢測器S80848，內部檢測電壓固定為4.8 V，精度為±2％，最大響應時(shí)間為60μs。S80848采用標準5 V供電，電源正常時(shí)輸出高電平；當電源電壓降至4.8 V時(shí)，則輸出低電平。將S80848的輸出腳連接至MCU的INT0，并將MCU的INT0設置為電平觸發(fā)。因此，電源電壓只要低于4.8 V就會(huì )使MCU進(jìn)入INT0中斷，MCU在中斷程序中保存位置信息。

4.2 EEPROM選取

當MCU對EEPROM的寫(xiě)操作完成后，EEP-ROM需用10 ms的最大自寫(xiě)入時(shí)間將信息寫(xiě)入存儲單元。為了使用更多的時(shí)間用于EEPROM自寫(xiě)入，選用低壓EEPROM，即AT24C64-2.7 V，其工作電壓為5.5 V～2.7 V，容量為64 KB，每頁(yè)為32 B，最大寫(xiě)入次數為1 000 000。

4.3 掉電時(shí)間計算

選用工作電壓為4.5 V～5.5 V的STC89C516RD。當電源電壓降至4.5 V以下時(shí)，MCU不能可靠工作。MCU的INT0的中斷服務(wù)程序只能使用電源電壓從4.8 V降至4.5 V的這段時(shí)間，所有處理必須在該段時(shí)間內完成。因此中斷程序設計時(shí)應盡量考慮使其執行時(shí)間最短，中斷應先將所有存儲的數據存入一個(gè)數組，然后將該數組的所有元素寫(xiě)入AT24C64，當然該數組的元素數必須小于A(yíng)T24C64一頁(yè)的長(cháng)度，即必須小于32 B。

當輸出電壓為5 V時(shí)，最大電流為Imax=0.8 A，等效負載R=5／I=6.25 Ω，與5 V電源并聯(lián)的電容C=4 700μF，則系統時(shí)間常數為τ=RC=0.029 s。設發(fā)生掉電t=0，根據公式u(t)=Vccexp(-t／τ)=5exp(-t／0.029)可知：t=1 183μs時(shí)，電源電壓Vcc從5 V降至4.8 V；t=3 055μs時(shí)，Vcc降至4.5 V；t=17 869μs時(shí)，Vcc降到2.7 V。MCU的中斷服務(wù)程序時(shí)間為3 055-1 183=1872μs，故大于實(shí)測中斷服務(wù)程序時(shí)間1 350μs；EEPROM自寫(xiě)入有效時(shí)間為17 869-3 055=14 814μs，故完全滿(mǎn)足EEPROM寫(xiě)入要求。

4.4 中斷服務(wù)程序

為了避免MCU頻繁寫(xiě)入EEPROM，使用次數超出最大有效寫(xiě)入次數，中斷程序對中斷輸入引腳上的電平進(jìn)行必要濾波。濾波算法為：系統進(jìn)入中斷程序后，首先關(guān)閉中斷，然后連續10次判斷INT0的電平，如果每次判斷得到的電平 值都為低，則繼續往下執行中斷服務(wù)程序，只要有一次為高則立即退出中斷服務(wù)程序。完成寫(xiě)入數據，要確保INT0上的低電平解除后再返回中斷，否則等待，直至低電平解除。中斷服務(wù)程序流程圖如圖5所示。

5 結束語(yǔ)

詳細介紹光柵數顯系統設計，采用CPLD可大大簡(jiǎn)化系統硬件設計，降低系統成本，增強系統可靠性和靈活性。選用STC89C516RD，可避免擴展外部存儲器，從而簡(jiǎn)化單片機的外圍電路設計。

參考文獻

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