三大因素決定RF功率放大器未來(lái)市場(chǎng)格局

市場(chǎng)調研公司ABI Research日前發(fā)表了一份關(guān)于無(wú)線(xiàn)基站RF功率放大器市場(chǎng)的研究報告，認為有三大因素將決定該市場(chǎng)在未來(lái)五年的格局。據ABI Research的無(wú)線(xiàn)基礎設施研究主管Lance Wilson介紹，該項研究確定了三方面的因素，該市場(chǎng)中的全部廠(chǎng)商都將需要加以重視。

第一，市場(chǎng)整合已改變了產(chǎn)業(yè)形勢：價(jià)格下跌、成本壓力和總體市場(chǎng)需求下降，已造成了競爭慘烈的商業(yè)環(huán)境。這種趨勢注定要保持下去。

第二，“對于總有效市場(chǎng)(TAM)正在縮小的認識，真正開(kāi)始深深觸動(dòng)市場(chǎng)中每一個(gè)廠(chǎng)商?！盬ilson表示，“各廠(chǎng)商根據自己的市場(chǎng)地位，將需要認真考慮對于堅持這項業(yè)務(wù)的承諾。確實(shí)，有些廠(chǎng)商能否幸存可能取決于它們進(jìn)入無(wú)線(xiàn)基礎設施以外的其它新領(lǐng)域、使其業(yè)務(wù)實(shí)現多元化的能力?！?BR>
一些供應商開(kāi)始提供垂直整合的基站半導體產(chǎn)品，試圖擺脫這樣的市場(chǎng)困擾；然而，Wilson觀(guān)察到：“這個(gè)極度競爭的市場(chǎng)由于規模太小，這樣銷(xiāo)售反而更加吃力?！?BR>
最后，一項新的技術(shù)看來(lái)將改變該市場(chǎng)的特點(diǎn)。氮化鎵(GaN)很適用于某些類(lèi)型的開(kāi)關(guān)型高效率放大器。該技術(shù)在過(guò)去兩年里取得了長(cháng)足的進(jìn)步，據ABI Research的分析，GaN有望在2011年對硅LDMOS構成非?？尚诺耐{。