Microchip UNI／O總線(xiàn)技術(shù)及其應用

④Bit4～Bit7。為無(wú)關(guān)位，讀出時(shí)為0。
(2)包含一個(gè)讀操作地址指針
在進(jìn)行存儲陣列讀操作時(shí)，瀆操作地址指針會(huì )在每個(gè)字節發(fā)送后自動(dòng)指向原地址加1的存儲單元。當到達最高地址時(shí)，如果主器件仍然發(fā)出MAK選擇繼續讀取，則地址指針的值會(huì )翻轉回到0x00地址處。在上電后，讀地址指針會(huì )保持上一次訪(fǎng)問(wèn)的存儲單元的地址。
(3)支持頁(yè)寫(xiě)功能
用WRITE指令可以向指定地址的存儲單元或者指定地址開(kāi)始的存儲器區域寫(xiě)入內容任意的數據。不過(guò)，在寫(xiě)多個(gè)存儲單元時(shí)，必須限制在單個(gè)物理頁(yè)面內寫(xiě)。物理頁(yè)邊界從頁(yè)大小(16字節)整數倍的地址開(kāi)始，結束于頁(yè)大小的整數倍減1的地址。如果WRITE指令試圖跨越物理頁(yè)邊界進(jìn)行，其結果是將超出頁(yè)邊界的數據寫(xiě)回到當前頁(yè)的開(kāi)始，即覆蓋先前存儲的數據，而不會(huì )如期望的那樣寫(xiě)到下一貞。
2．2．3 UNI／O存儲器11XXX的讀寫(xiě)程序
上電之后，由于11XXX處在關(guān)斷模式，而且總線(xiàn)處于高電平空閑狀態(tài)，所以主器件必須先在SCIO上產(chǎn)生一個(gè)高到低再到高的脈沖，使11XXX從關(guān)斷模式退出進(jìn)入空閑模式，這樣11XXX才能按照命令序列所規定的流程響應總線(xiàn)上的其他信號，接收主器件發(fā)來(lái)的指令，并按指令要求完成規定的操作。
(1)寫(xiě)程序流程
圖6是寫(xiě)存儲陣列中未保護區塊的程序流程。圖中發(fā)送指令的操作可通過(guò)調用發(fā)送指令子程序來(lái)完成。圖7給出了發(fā)送指令程序流程。要寫(xiě)存儲陣列中受保護的區塊，只需在執行WREN指令之前，用WRSR指令對BP0、BP1進(jìn)行相應的設置，以暫時(shí)解除待寫(xiě)區塊的保護，并在程序的最后再用WRSR指令對它們進(jìn)行恢復即可。要全地址空間置1或擦除，必須先解除對整個(gè)存儲陣列的保護并使能寫(xiě)操作，再發(fā)送SETAL或ERAL指令，指令發(fā)送之后用NoMAK來(lái)啟動(dòng)內部寫(xiě)操作，內部操作完成之后恢復對存儲陣列的保護即可。

(2)讀程序流程
隨機讀存儲陣列的程序流程是：先發(fā)送READ指令，再發(fā)送待讀單元地址。先高地址字節，后低地址字節。然后，從器件就會(huì )將該地址中的數據送到總線(xiàn)上，主器件收到第一個(gè)數據字節后，若還要讀取更多的數據，可以發(fā)送應答信號MAK。之后，從器件用SAK應答，并送出下一個(gè)數據字節。若要結束讀操作，主器件只要發(fā)送NoMAK即可。
要從存儲陣列的當前位置讀取數據可用CRRD指令來(lái)進(jìn)行操作，其程序流程除了不需要傳送存儲器單元地址外，其余操作步驟與READ相同。

結語(yǔ)
UNI／O總線(xiàn)只有一根信號線(xiàn)，對I／O端口的占用最少，可有效地減小嵌入式系統的體積并降低產(chǎn)品成本，具有廣闊的應用前景。