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采用突波吸收電容減小UPS直流總線(xiàn)電壓

作者: 時(shí)間:2012-03-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
 解決高頻電壓問(wèn)題的方案主要有以下兩個(gè):
  1. 加大IGBT上的尖峰吸收回路的浪涌抑制能力,即減小IGBT上的尖峰吸收回路的R的阻值,加大R、D的功率,加大C的容量,改善散熱條件。
  2. 采用高頻等效串聯(lián)電阻小的并聯(lián)在上直接減小電壓。
  在上述第一個(gè)方案中,如果直接減小R的阻值,加大R的功率,增加C的容量,則會(huì )造成IGBT的開(kāi)關(guān)損耗增加,如果要加大D的功率,只有并聯(lián)D并加散熱片。該方案不但增加了電路損耗和器件發(fā)熱量,降低了效率,使IGBT工作可靠性降低,而且由于吸收電路安裝位置有限,工藝上很難達到要求。該方案被否定。
  在第二個(gè)方案中,如果直接在電解電容上并聯(lián)4μF的Ct,觀(guān)察到的效果并不理想,而直接在IGBT模塊的C1E2上并聯(lián)Ct,電壓明顯減小。
  原因分析:由于IGBT發(fā)熱,工藝上要求整流濾波電解電容器與IGBT散熱器之間拉開(kāi)一段距離。在大電流高頻率開(kāi)關(guān)情況下,由于電流在導線(xiàn)中流動(dòng)具有趨膚效應,因此連接于IGBT與電解電容器之間的連接導線(xiàn)電阻加大,雖然在濾波電解電容器上并聯(lián)了Ct,濾波效果并不顯著(zhù)。而如果直接將Ct并聯(lián)于IGBT模塊的C1E2端時(shí),由于Ct的等效串聯(lián)電阻很小,IGBT關(guān)斷時(shí)逆變變壓器原邊繞組釋放出的能量將沿IGBT上的反并聯(lián)二極管Dx首先對Ct充電,Ct發(fā)揮電壓箝位作用,直流總線(xiàn)紋波電壓明顯減小。因此突波吸收電容在直流總線(xiàn)上接入的位置要緊靠IGBT才能發(fā)揮作用。
  IGBT功率管截止時(shí),變壓器漏感能量等于Ct吸收的能量,則有

  式中,LLK為變壓器漏感,IIP為變壓器原邊電感電流峰值,UCE為IGBT最大集-射極電壓,Ureset為電容Ct的初始電壓,Ui為整流輸出直流電壓[3]。
  由于突波吸收電容跨接在直流總線(xiàn)上, Ct上的能量將在IGBT的下一個(gè)開(kāi)通周期流入變壓器,從而提高了能量的利用效率。突波吸收電容的等效串聯(lián)電阻很小,因此Ct的溫升也很小。接入Ct后IGBT的開(kāi)關(guān)安全性沒(méi)有受到影響。
  可以推測,4μF的突波吸收電容對于一臺開(kāi)關(guān)電流峰值達200A的20KVA來(lái)說(shuō)太小,因此增加Ct的容量可以進(jìn)一步降低直流總線(xiàn)紋波電壓,接入Ct的位置仍然是每一個(gè)IGBT模塊的C1E2端。
 


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