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大、中功率MOSFET與IGBT驅動(dòng)電路方案探討
作者：
時(shí)間：2012-03-17
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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控制脈沖由Hin、Lin輸入，與兩路輸出H0、L0同相對應分別用于驅動(dòng)上端和下端的開(kāi)關(guān)管。SD可用作保護端，當SD為高電平時(shí)，兩路輸出同時(shí)截止。驅動(dòng)器設有欠壓保護，如圖3中VCC低于欠壓給定值時(shí)，欠壓檢測電路產(chǎn)生一關(guān)斷信號，以關(guān)閉兩路輸出。邏輯輸入端設置了施密特觸發(fā)電路，提供高的抗干擾能力和接受緩慢上升時(shí)間的輸入信號。具有高抗干擾能力的VDD/VCC電平轉換電路將邏輯信號轉換成輸出驅動(dòng)。同時(shí)，在電源地（COM）和邏輯地（VSS）之間設有±5V的額定偏移量，這樣使邏輯電路不會(huì )受到輸出驅動(dòng)開(kāi)關(guān)感應噪聲的影響。驅動(dòng)器兩通道均采用低跨導圖騰柱輸出，輸出峰值電流達2A以上。用IR2110構成的全橋驅動(dòng)電路如圖4所示：
圖4 IR2110應用于全橋電路圖
圖中充電二極管VD1、VD2的耐壓值必須高于總線(xiàn)峰值電壓，應采用功耗較小的快恢復整流二極管。自舉電容Cb1、Cb2的選取取決于開(kāi)關(guān)頻率、負載周期及開(kāi)關(guān)管柵極充電需要，應考慮如下幾點(diǎn)：
?。?）PWM開(kāi)關(guān)頻率高，電容值應選小。
?。?）對占空比調節較大的場(chǎng)合，特別是在高占空比時(shí)，電容要選小。否則，在有限的時(shí)間內無(wú)法達到自舉電壓。
?。?）盡量使自舉上電回路不經(jīng)大阻抗負載，否則電容得不到可靠的充電。
4 結語(yǔ)
針對不同的應用場(chǎng)合，合理選取驅動(dòng)電路形式、正確選擇工作參數是MOSFET與IGBT安全工作的關(guān)鍵，同時(shí)也是保證整機運行的一個(gè)重要環(huán)節。實(shí)踐證明，在中、小功率場(chǎng)合采用驅動(dòng)芯片直接驅動(dòng)、大功率場(chǎng)合采用集成驅動(dòng)器的方案切實(shí)可行，能夠滿(mǎn)足設備的一般驅動(dòng)要求。
參考文獻:
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