基于BD6225芯片的H橋電機驅動(dòng)器
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
VREF控制模式是調節VREF管腳電壓（也稱(chēng)為輸入速度設定電壓）自動(dòng)進(jìn)行PWM變換（改變PWM的占空比），使輸出MOSFET信號完全驅動(dòng)功率MOSFET開(kāi)關(guān)，以PWM方式來(lái)控制電機的轉速。當采用VREF控制模式時(shí)，不能在FIN腳和RIN腳輸入PWM信號。PWM頻率在20kHz～100kHz范圍內可調。占空比的計算如下：
占空比≈VREF[V]/Vcc[V]
舉列說(shuō)明，當Vcc=12V，VREF=9V，則占空比約為75%，此時(shí)載波頻率FPWM變化范圍在20kHz～35kHz（典型值為25 kHz）。圖5給出了輸入速度設定電壓和PWM占空比（Duty）之間的關(guān)系。從圖5中可以看出，輸入速度設定電壓和PWM占空比之間成線(xiàn)性關(guān)系，當施加在VREF管腳電壓等于Vcc時(shí)，占空比則為100%，輸出MOSFET信號驅動(dòng)電機全速運行。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/230483.htm
圖5 輸入速度設定電壓和PWM占空比（Duty）之間關(guān)系
4 器件選型和印制線(xiàn)路板的設計注意事項
4.1 外圍器件的選型
（1）BD6225芯片的12腳、24腳（控制部分電源電壓輸入端）各需增加一個(gè)高頻電容，主要用于濾除電源中的高頻噪聲。建議采用NP0介質(zhì)的陶瓷電容，推薦容值為0.1μF（選貼片0402封裝，減小PCB空間）。
（2）BD6225芯片的13腳、23腳需要增加一個(gè)儲能電容，為電機提供回流路徑。建議采用X5R或X7R介質(zhì)的陶瓷電容，推薦容值為10μF（選0603型貼片封裝，以減小PCB空間）。
（3）輸入速度設定電壓端分壓電阻可采用0402型貼片封裝，以減小PCB空間。
（4）OUT1、OUT2腳到電機之間電線(xiàn)最好采用帶地屏蔽功能的小電纜線(xiàn)，防止驅動(dòng)線(xiàn)上的噪聲對外轉導和輻射。
4.2 印制線(xiàn)路板的布局布線(xiàn)注意事項
印制線(xiàn)路板的布局布線(xiàn)對電子產(chǎn)品的可靠性、電磁兼容有很大的影響，需要注意以下事項。
（1）電源濾波電容盡可能靠近BD6225芯片的12腳、13腳、23腳、24腳（電源電壓輸入端），減小走線(xiàn)對電容的分布參數的影響，提高抑制紋波電壓的能力。
（3）電源和地管腳的走線(xiàn)要盡量寬，至少大于1.5mm，否則將引起線(xiàn)路阻抗和電感的變化。
（4）VREF腳的分壓電阻要靠近芯片放置，以保證分壓點(diǎn)到VREF腳的走線(xiàn)最短，同時(shí)要遠離OUT腳之間驅動(dòng)走線(xiàn)，以防止產(chǎn)生耦合噪聲。
（5）FIN腳為散熱管腳，需進(jìn)行大面積覆銅處理，增加PCB銅皮的散熱能力，防止芯片過(guò)熱損壞。
5 結束語(yǔ)
BD6225芯片內部集成了功率MOFET與PWM控制電路，簡(jiǎn)化了有刷直流電機驅動(dòng)器的設計，提高了系統的可靠性。文中給出BD6225芯片的特性和原理，給出了它的應用電路、器件選型和印制線(xiàn)路板的設計注意事項。
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