基于L6562的高功率因數boost電路的設計
設Ku=0.3,δBmax=0.3T,由(4)式計算得:
AP_req(min)=6.64×10-10m4
這樣,可選擇磁芯EE16/6/5,其AP=7.5×10-10m4,可滿(mǎn)足設計要求;而由(5)式計算得Np=218.1匝,取215匝,并驗證δBmax=0.304T,氣隙lgap=0.41 mm。
根據以上計算參數所搭建的試驗模型來(lái)進(jìn)行的結果如圖6所示。
![]() |
由圖6可見(jiàn),輸入電流能良好的跟隨輸入電壓,且電流電壓相位差接近于零,故可實(shí)現高功率因數的控制。另外,MOSFET的電流是一種高頻三角波,其包絡(luò )為輸入電壓。由于MOSFET可實(shí)現軟開(kāi)關(guān),能有效減小開(kāi)關(guān)損耗。根據測試結果,該電路的PF可達0.998以上,THD在5%以下。
5 結束語(yǔ)
本文基于L6562芯片設計了Boost高功率因數電路,并引用AP法則設計其關(guān)鍵元器件——Boost電感。經(jīng)試驗驗證,該電路啟動(dòng)電流小,外圍元器件少,成本低廉,能同時(shí)滿(mǎn)足電源系統重量輕,穩定性好,可靠性高等要求。實(shí)驗證明,AP法則是一種快速準確的設計方法。
電路相關(guān)文章:電路分析基礎
評論