抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的超帶寬電磁帶隙結構研究
3 結論
本文提出了一種抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的新型電磁帶隙結構BS EBG.當帶寬被定義為-30 dB以下時(shí),新型BS EBG 結構的帶隙范圍為220 MHz~20 GHz.相比于傳統的Z-bridged EBG電源平面,BS EBG電源平面的相對帶寬增加了約15%,下限截止頻率降低了110 MHz,對于同步開(kāi)關(guān)噪聲具有良好的抑制效果。
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3 結論
本文提出了一種抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的新型電磁帶隙結構BS EBG.當帶寬被定義為-30 dB以下時(shí),新型BS EBG 結構的帶隙范圍為220 MHz~20 GHz.相比于傳統的Z-bridged EBG電源平面,BS EBG電源平面的相對帶寬增加了約15%,下限截止頻率降低了110 MHz,對于同步開(kāi)關(guān)噪聲具有良好的抑制效果。
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