透明ZnO電極使氮化物L(fēng)ED更加明亮

SMI的ZnO MOCVD反應器
Structured Materials Industries公司生產(chǎn)ZnO反應器的特征為：高速旋轉的圓盤(pán)具有各種各樣的尺寸，分別為1×1、1×2、3×2、6×2、8×2、19×2和38×2英寸。這些可旋轉的CVD設備使用一個(gè)均勻加熱的沉積平臺來(lái)生長(cháng)大面積的均勻薄膜，薄膜的沉積速率為每分鐘10-20nm。
這種均勻的薄膜沉積來(lái)自于四帶加熱系統，它與高溫、熱膨脹和氧化環(huán)境等關(guān)聯(lián)ZnO生長(cháng)的條件相兼容。利用這種設計，最大的反應器也能夠在晶片上獲得均勻的溫度，晶片溫度不均勻性不超過(guò)1%，能夠產(chǎn)生的摻雜和未摻雜薄膜，其厚度變化幅度低于4%，而且即使是一個(gè)爐中出來(lái)的晶片，片與片之間的厚度不均勻性低于5%。
LED電極的ZnO生長(cháng)條件為：生長(cháng)壓力為0.05個(gè)大氣壓；溫度范圍從450℃到650℃；二乙基鋅、三甲基鋁和氧氣的流速分別是80、15和200標準立方厘米每分鐘（sccm），用來(lái)提供Zn源、Al摻雜劑和O源。氬氣的流速范圍從4000到7000sccm，用來(lái)作為惰性運載氣體。將源材料按照一個(gè)呈放射形狀分布進(jìn)行均勻注入，采用方向向下的運輸氣流，從而獲得了高質(zhì)量的薄膜生長(cháng)。
圖. 電阻加熱被用在反應器中，伴隨著(zhù)旋轉速度為每分鐘上百個(gè)的圓盤(pán)。這個(gè)多晶片生長(cháng)設備能夠在硅、石英和GaN上沉積ZnO。