白光LED制程原理
一、制程、量測與封裝設備
○1 MOCVD →有機金屬化學(xué)氣相沉積。(制程設備)
○2 DC Sputter →直流式高功率濺鍍機。(制程設備)
○3 PL →光激發(fā)光譜儀。(量測設備) ○4 LED測試機。(量測設備)
○5 金線(xiàn)焊接機。(封裝設備)
二、磊芯片制程
芯片清洗完畢后放入Sputter濺鍍第一層材料,濺鍍第一層Buffer layer再將其取出放入MOCVD反應爐內,開(kāi)始成長(cháng)量子井的Thin Film Layer。MOCVD因為可以控制金屬有機的化學(xué)材料系數的多寡,進(jìn)而控制電子躍遷時(shí)的能隙大小,且磊晶成長(cháng)出來(lái)的Thin Film膜厚質(zhì)量佳,且MOCVD的操作較容易,因此在磊芯片所用的制程設備中目前業(yè)界在長(cháng)晶方面皆使用MOCVD較多;因此接下來(lái)向大家說(shuō)明目前實(shí)驗室常使用的制程、量測設備工作原理:
1、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition):是一種利用化學(xué)反應來(lái)
沉積磊晶Thin Film的制程方式。以LED制程為例,將金屬有機的化學(xué)材料置入Boat內,再將Boat放入加熱槽內,每一種金屬有機的化學(xué)材料皆放入一個(gè)加熱槽內,再將加熱槽內的金屬有機化學(xué)材料加熱,使其產(chǎn)生分解形成氣體分子的金屬有機化學(xué)材料,并通入Ar Gas同時(shí)將MOCVD內的電子節流閥開(kāi)啟,讓被分解成氣體分子的金屬有機化學(xué)材料接受以Ar作為載子氣體的方式將金屬有機化學(xué)材料送入以在恒溫加熱的反應爐內,并使之附著(zhù)于基板表面上,最后再由電子節流閥來(lái)控制每一層Thin Film成長(cháng)的時(shí)間,即可形成一層一層的Thin Film Layer※P.S.量子井結構就是利用此設備來(lái)成長(cháng)。(圖一)中MOCVD的工作原理如下:當通入金屬有機化學(xué)材料,如:圖一中○1-○7可知為金屬有機化學(xué)材料離子,由Ar Gas載入到MOCVD反應爐內,因爐管為水平式;因此金屬離子在行進(jìn)的過(guò)程中,離子會(huì )往下附著(zhù)于基板上,由○3-○5可以得知,如果金屬有機材料反應物種附著(zhù)于基板的表面上則形成結晶體,而未附著(zhù)于基板上的反應物種,則被帶離開(kāi)反應爐內,由圖中○6-○7即被帶離反應爐。
2、DC Sputter(直流式功率濺鍍機):是一種利用物理反應來(lái)沉積磊晶Thin Film
白光發(fā)光二極管設計
圖一:MOCVD Chamber 圖二:Sputter Chamber
【Reference:Silicon VLSI Technology Figure 9-5 and Figure 9-22】
的制程方式(圖二)。當外加電壓,使濺鍍鎗內的蜂巢式磁鐵產(chǎn)生極性(陰極)
,而Ar 被吹入Sputter Cavity內,因Ar氣體為電中性,且因外加電壓的影響,而使的Ar產(chǎn)生離子化高速往上和負離子結合,而在正Ar離子撞擊濺鍍鎗上的金屬靶材,將金屬蒸氣撞擊出來(lái),而使得金屬蒸氣往基板附著(zhù)。這時(shí)金屬原子附著(zhù)于Wafer表面而形成薄膜層。
3、Photo Luminescene(光激發(fā)光譜儀):是一 種利用光學(xué)物理特性式量測材料結構的發(fā)光 光譜(圖三)。將待測Sample固定在Sample Chamber上,再調整其角度使He-Cd Laser (波長(cháng)λ=325nm)能夠準確的打到Sample 待測面上,并調整Sample之角度使He-Cd Laser能產(chǎn)生全反射進(jìn)入分光儀中,來(lái)進(jìn)行材 料結構的發(fā)光光譜特性分析。由圖三來(lái)說(shuō)明 PL如何產(chǎn)生反射光波來(lái)進(jìn)行分光,分析材料的發(fā)光光譜。當入射光波角度為 θ時(shí),光行進(jìn)到Sample界面時(shí),會(huì )產(chǎn)生一道反射光,而這道光是由UV波段 的He-Cd Laser產(chǎn)生的。
圖三:PL測試流程圖
4、LED測試機(LED Tester):主要是用來(lái)測試發(fā)光二極管的電氣特性,其特性有:順向電壓、電流、逆向電壓、電流、漏電流、發(fā)光亮度、CIE色坐標圖、LED發(fā)光波長(cháng)、LED發(fā)光顏色純度……等。
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