結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

隨著(zhù)手機市場(chǎng)的持續發(fā)展，以及智能電話(huà)的使用率和市場(chǎng)增長(cháng)不斷上升，設計人員面臨著(zhù)在總體設計中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數目的挑戰。為了應對客戶(hù)需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體開(kāi)發(fā)出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。

FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要元件，用以驅動(dòng)串聯(lián)白光LED，為智能電話(huà)的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤(pán)的話(huà))提供照明。

該解決方案對各種動(dòng)態(tài)特性作出仔細精確的優(yōu)化，實(shí)現很低的開(kāi)關(guān)損耗，從而使手機應用擁有相當高的轉換效率和更長(cháng)的電池壽命。

FDZ3N513ZT結合了一個(gè)30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個(gè)肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nC)，以提高升壓轉換器設計的效率。

FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節省60%的板上占位空間。

飛兆半導體是移動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導廠(chǎng)商，擁有大量可針對特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導體全面的先進(jìn)MOSFET系列的一部分，能夠滿(mǎn)足業(yè)界在充電、負載開(kāi)關(guān)、DC-DC和升壓應用方面對緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。

價(jià)格: 訂購1,000個(gè)，單價(jià)為0.75美元

供貨: 現提供樣品

交貨期 ：收到訂單后12周