74hc595芯片數碼管顯示

/*74HC595是硅結構的CMOS器件， 兼容低電壓TTL電路，遵守JEDEC標準。
74HC595是具有8位移位寄存器和一個(gè)存儲器，三態(tài)輸出功能。
移位寄存器和存儲器是分別的時(shí)鐘。時(shí)鐘線(xiàn)sck在上升沿將數據輸入（即由低電平編導高電平），
數據在si的上升沿輸入，在si的上升沿進(jìn)入到存儲寄存器中去。如果兩個(gè)時(shí)鐘連在一起，則
移位寄存器總是比存儲寄存器早一個(gè)脈沖。 移位寄存器有一個(gè)串行移位輸入（Ds），
和一個(gè)串行輸出（Q7’）,和一個(gè)異步的低電平復位，存儲寄存器有一個(gè)并行8位的，
具備三態(tài)的總線(xiàn)輸出，當使能OE時(shí)（為低電平），存儲寄存器的數據輸出到總線(xiàn)。 　　
8位串行輸入/輸出或者并行輸出移位寄存器，具有高阻關(guān)斷狀態(tài)。 */
#includereg52.h>
#define uint unsigned int
#define uchar unsigned char
sbit rck=P0^0;//對輸出存儲器鎖存時(shí)鐘線(xiàn)的位定義
sbit sck=P0^1;//對數據輸入時(shí)鐘線(xiàn)的位定義
sbit si=P0^2;//對數據線(xiàn)的位定義
uchar code num[]={0x80,0xed,0x42,0x48,0x2c,0x18,0x10,0xcc,0x00,0x08};//0~9的數字顯示
void delay(uint time)//延時(shí)函數
{
while(--time);
}
void write_date(uchar temp)//移位寄存器
{
uint i;
for(i=0;i8;i++)
{
temp>>=1;//把輸進(jìn)來(lái)的8位數據右移一位，從而最右端的一位溢出
sck=0;//輸入時(shí)鐘位低電平
si=CY;//把移位溢出來(lái)的數據賦給最高位
sck=1;//輸入時(shí)鐘位高電平
}
}
void main()//主函數
{
uint i,j;
for(i=0;i10;i++)
for(j=0;j10;j++)
{
write_date(num[i]);
write_date(num[j]);
rck=0;//數據線(xiàn)低電平
rck=1;//數據線(xiàn)高電平
delay(100000);//調用延時(shí)函數，使時(shí)間變長(cháng)
}
}