LT5527型RF混頻器及其在3G無(wú)線(xiàn)基站接收器中的應用
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1 引言
凌特公司（Linear Technology)推出的LT5527型高線(xiàn)性度有源下變頻RF混頻器能大幅降低3G蜂窩基站的成本并簡(jiǎn)化其設計。LT5527 RF混頻器具有3．7 GHz的最高工作頻率。在1．9 GHz時(shí)，LT5527具有23．5 dBm的IP3(輸入3階截取)線(xiàn)性度、2．3dB轉換增益和12．5 dB噪聲指標，符合3G蜂窩基站和其他高性能無(wú)線(xiàn)基站接收器的動(dòng)態(tài)范圍要求。LT5527的本機振蕩器(LO)和RF輸入以單端方式工作，具有內置50Ω阻抗，只需很少外部匹配器件，可降低基站成本和縮短設計時(shí)間。此外．LT5527內包含1個(gè)低噪聲LO緩沖器，允許工作于-3 dBm LO驅動(dòng)功率，解決了RF隔離難題，無(wú)需外部濾波電路。
LT5527工作于400 MHz-3．7 GHz的寬頻率范圍，該范圍覆蓋850 MHz蜂窩頻帶、1．9 GHz-2．1GHz W-CDMA及UMTS頻帶。也覆蓋了工作于450MHz、2．4 GHz和3．5 GHz頻帶的其他高性能無(wú)線(xiàn)設備。LT5527在RF和LO輸入端都有片上RF變壓器。這些變壓器方便了50Ω阻抗匹配，并使輸入能以單端方式工作。
2 LT5527的主要特性及引腳功能
2．1 LT5527的主要特性
LT5527采用單5 V工作電源。典型工作電流為78 mA。它可用EN引腳關(guān)斷。關(guān)斷時(shí)，最高消耗100μA靜態(tài)電流。LT5527采用16引腳4 mmx4mm QFN封裝。LT5527的主要特性如下：
50Ω單端式的RF和LO：
高輸入IP3：0．9 GHz時(shí)的輸入IP3為+24．5dBm，1．9 GHz時(shí)的輸入IP3為+23．5 dBm：
0．9 GHz時(shí)的轉換增益為3．2 dB，1．9 GHz時(shí)的轉換增益為2．3 dB；
低噪聲：0．9 GHz時(shí)的噪聲指標為11．6 dB。1．9 GHz時(shí)的噪聲指標為12．5 dB；
高LO-RF及LO-IF隔離；
LO至RF泄漏為-44 dBm；
工作電壓范圍為4．5 V～5．25 V。
2．2 LT5527的引腳功能
LT5527由高線(xiàn)性雙平衡混頻器、RF緩沖放大器、高速限幅LO緩沖器及偏置／使能電路構成，RF和LO輸入以單端方式工作，IF輸出是差分輸出，低端LO和高端LO注入均可用。LT5527的外引腳排列如圖1所示，內部結構如圖2所示，各引腳的功能如下所述。
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NC（1，2，4，8，13，14，16）：這些引腳內部不連接，與電路板的地相接，以改善LO至RF及LO至IF之間的隔離。
RF(3)：RF信號輸入端，該引腳內部與RF輸入變壓器的初級相連。若RF信號源不被DC阻隔．則需串聯(lián)一耦合電容器。在1．7 GHz-3 GHz之間。RF輸入由內部匹配。400 MHz，3 700 MHz都需外部匹配。
EN(5)：使能端，當輸入使能電壓超過(guò)3 V時(shí)，混頻器電路通過(guò)6、7、10和11啟動(dòng)。當輸入電壓低于0．3 V時(shí)，所有的電路都不工作。EN=5 V時(shí)的典型輸入電流為50 mA，EN=0 V時(shí)，電流為0μA。即使在啟動(dòng)時(shí)，EN端的電壓也不應超過(guò)Vcc0.3V。
Vcc2(6)：偏置電路的電源輸入端，電流消耗為2．8 mA。該端外部接至Vcc1端，并接1 000 pF及1μF的耦合電容器。
Vcc1(7)：LO緩沖器的電源端，電流消耗為23．2mA。該端外部接至Vcc2端，并接1 000pF及1μF的耦合電容器。
GND(9，12)：地端，該端和底板地相連以增強隔離度，也是電路板上的RF地。
IF-，IF+(10，11)：IF信號差分輸出，需進(jìn)行阻抗變換以實(shí)現輸出匹配。這些端子通過(guò)阻抗匹配電感器、RF扼流圈或變壓器中心抽頭與Vcc相連。
LO(15)：本地振蕩器的單端輸入，該端內部與LO變壓器的初級相連。在1．2 GHz～5 GHz之間，LO輸入可內部匹配。在380 MHz以下工作時(shí)需簡(jiǎn)單的外部匹配。
Exposed Pad(17)：整個(gè)電路地的返回端，必須焊接至印刷電路板的接地面。
3 LT5527的應用電路設計
圖3示出由混合變壓器構成的IF匹配電路。以達到最低LO-IF泄漏和最寬的IF帶寬。圖4示出由1個(gè)離散的IF不平衡變壓器代替IF變壓器的電路，以降低成本和縮小尺寸。盡管離散的IF不平衡變壓器也有較理想的噪聲系數、線(xiàn)性度及較高的轉換增益，但是LO-IF泄漏降低，IF的帶寬減小。
RF輸入端由1個(gè)集成變壓器和一個(gè)高線(xiàn)性差分放大器組成，變壓器的初級與RF輸入端(引腳3)和地連接。變壓器的次級內部與差分放大器輸入端連接。 變壓器初級的一端內部和地連接，如果RF源有DC電壓，則在其輸入端接入耦合電容器。在1．7GHz-3 GHz之間，RF輸入可由內部匹配，在這個(gè)頻率范圍不需要外部匹配。頻帶邊沿輸入回波損耗的典型值為10 dB。 在低頻帶邊沿的輸入匹配電路中，串聯(lián)的最佳電容器的值是2．7 pF(引腳3)，以改善1．7 GHz的回波損耗(>20 dB)；同樣，為改善2．7 GHz的回波損耗(>30dB)，其匹配串聯(lián)的最佳電感器感值是1．5 nH。同時(shí)，串聯(lián)1．5nH／2．7 pF匹配網(wǎng)絡(luò )使頻帶的邊沿更理想，并將RF的輸入帶寬擴大至1．1 GHz～3．3 GHz。 在400 MHz低頻處或3．7 GHz處，RF輸入匹配網(wǎng)絡(luò )在原有基礎上增加并聯(lián)電容器C5，如果450MHz下的輸入匹配電容器C5的容值為12 pF，在評估板的50 Ω輸入傳輸線(xiàn)上，位于距離引腳34．5 mm的位置；900 MHz下的輸入匹配電容C5=3．9 pF，位于距離引腳31．3 mm的位置；3．5 GHz下的輸入匹配電容器C5=0．5 pF。位于距離引腳34．5mm的位置。這種串聯(lián)傳輸線(xiàn)／并聯(lián)電容器匹配拓撲使得LT5527可用于倍頻標準，而不需要修正電路板的設計。串聯(lián)傳輸線(xiàn)可用串聯(lián)的片式電感器代替，以使布局更簡(jiǎn)單。 RF輸入阻抗和S11與頻率的關(guān)系(沒(méi)有外部匹配)列于表1。S11數據用于微波電路模擬設計自定義匹配網(wǎng)絡(luò )。模擬和RF輸入濾波器的接口連接。 3．2 LO輸入端的設計 頻率大于1．2 GHz時(shí)，盡管放大器提供的功率有幾個(gè)dB．但最佳LO驅動(dòng)功率只有-3 dBm(LO輸入功率變化，混頻器性能不變)；在頻率低于1．2GHz的情況下，盡管-3 dBm的LO驅動(dòng)功率仍然提供高轉化增益和線(xiàn)性。但是為了得到最佳噪聲，LO驅動(dòng)功率為0 dBm。自定義匹配網(wǎng)絡(luò )的阻抗數據見(jiàn)表2，并參考LO端沒(méi)有匹配時(shí)的情況。
3．3IF輸出端的設計
關(guān)鍵詞：
3G
LT5527
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