AVR內部EEPROM讀寫(xiě)范例

注意：

1、在CPU 寫(xiě)Flash 存儲器的時(shí)候不能對EEPROM 進(jìn)行編程。

在啟動(dòng)EEPROM 寫(xiě)操作之前軟件必須檢查 Flash 寫(xiě)操作是否已經(jīng)完成

步驟(2) 僅在軟件包含引導程序并允許CPU對Flash 進(jìn)行編程時(shí)才有用。

如果CPU 永遠都不會(huì )寫(xiě)Flash，步驟(2) 可省略。

2、如果在步驟5 和6 之間發(fā)生了中斷，寫(xiě)操作將失敗。

因為此時(shí)EEPROM 寫(xiě)使能操作將超時(shí)。

如果一個(gè)操作EEPROM的中斷打斷了另一個(gè)EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失敗。

建議此時(shí)關(guān)閉全局中斷標志I。

經(jīng)過(guò)寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間之后，EEWE 硬件清零。用戶(hù)可以憑借這一位判斷寫(xiě)時(shí)序是否已經(jīng)完成。

EEWE 置位后，CPU要停止兩個(gè)時(shí)鐘周期才會(huì )運行下一條指令。

在掉電休眠模式下的EEPROM寫(xiě)操作：

若程序執行掉電指令時(shí)EEPROM 的寫(xiě)操作正在進(jìn)行， EEPROM 的寫(xiě)操作將繼續，并在指定的寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間之前完成。

但寫(xiě)操作結束后，振蕩器還將繼續運行，單片機并非處于完全的掉電模式。因此在執行掉電指令之前應結束EEPROM 的寫(xiě)操作。

防止EEPROM數據丟失：

若電源電壓過(guò)低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM數據的毀壞(丟失)。

**這種情況在使用獨立的EEPROM 器件時(shí)也會(huì )遇到。因而需要使用相同的保護方案。

由于電壓過(guò)低造成EEPROM 數據損壞有兩種可能：一是電壓低于EEPROM 寫(xiě)操作所需要的最低電壓；二是CPU本身已經(jīng)無(wú)法正常工作。

EEPROM 數據損壞的問(wèn)題可以通過(guò)以下方法解決：當電壓過(guò)低時(shí)保持AVR RESET信號為低。這可以通過(guò)使能芯片的掉電檢測電路BOD來(lái)實(shí)現。如果BOD電平無(wú)法滿(mǎn)足要求則可以使用外部復位電路。若寫(xiě)操作過(guò)程當中發(fā)生了復位，只要電壓足夠高，寫(xiě)操作仍將正常結束。(EEPROM在2V低壓下也能進(jìn)行寫(xiě)操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

掉電檢測BOD的誤解：

AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路，作用是在電壓過(guò)低(低于設定值)時(shí)產(chǎn)生復位信號，防止CPU意外動(dòng)作。

對EEPROM的保護作用是當電壓過(guò)低時(shí)保持RESET信號為低，防止CPU意外動(dòng)作，錯誤修改了EEPROM的內容

而我們所理解的掉電檢測功能是指 具有預測功能的可以進(jìn)行軟件處理的功能。

例如，用戶(hù)想在電源掉電時(shí)把SRAM數據轉存到EEPROM，可行的方法是外接一個(gè)在4.5V翻轉的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)一但電壓低于4.5V,馬上觸發(fā)中斷，在中斷服務(wù)程序中把數據寫(xiě)到EEPROM中保護起來(lái)。

注意：寫(xiě)一個(gè)字節的EEPROM時(shí)間長(cháng)達8mS，所以不能寫(xiě)入太多數據，電源濾波電容也要選大一些。

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