意法半導體推出強電流、低壓降的絕緣柵雙極晶體管

意法半導體（紐約證券交易所：STM）日前在該公司先進(jìn)的絕緣柵雙極晶體管家族中推出了一個(gè) 在強電流時(shí)能夠保持正向壓降很低的200A的器件，這類(lèi)器件屬于ST的絕緣柵雙極晶體管家族，能夠確保低導通電壓損耗而無(wú)需使用任何降低少數載流子壽命的重金屬摻雜或電子輻射。這些器件用于鋁焊接和感應加熱設備，以及不間斷電源和開(kāi)關(guān)式電源中。
STGE200NB60S屬于ST的PowerMESH 絕緣柵雙極晶體管家族，采用一種條狀專(zhuān)利布局?！?網(wǎng)格覆蓋”技術(shù)是一種基于條狀物的新型高壓工藝，在絕緣柵雙極晶體管的N外延層擴散P型網(wǎng)格結構，然后，在P型網(wǎng)格層上直接擴散代替單元并代表器件發(fā)射極的N+條狀物。 S 后綴表示N溝道已經(jīng)在工作頻率最高10kHz時(shí)針對低導通壓降做過(guò)優(yōu)化處理。
在工作溫度100°C，電壓600V，電流100A時(shí)，VCE(sat)不到1V。在工作溫度25°C，電流200A時(shí)，VCE(sat)在1.3V以下。
這個(gè)器件的設計效率表明導通功耗降低了。這個(gè)器件采用了有利于安全的絕緣ISOTOP封裝。
有關(guān)ST的STGE200NB60S器件的詳細資訊，請訪(fǎng)問(wèn)：http://www.st.com/igbt