基于A(yíng)DF43601的本振源設計
在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域,本振信號性能的優(yōu)劣是影響混頻器輸出頻譜純度的主要因素。頻率合成技術(shù)是指由一個(gè)穩定、準確的標準參考頻率,經(jīng)過(guò)一系列的處理過(guò)程,產(chǎn)生大量離散的具有同一穩定度和準確度的信號頻率。鎖相式頻率合成器是一種建立在相位負反饋基礎上的閉環(huán)控制系統,主要由鑒相器、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器組成。
通過(guò)鎖相頻率合成實(shí)現的頻率源在通信、CATV等領(lǐng)域得到了廣泛應用,很多現代電子設備和系統的功能實(shí)現都直接依賴(lài)于頻率源的性能。ADI公司生產(chǎn)的ADF4360-1是電流型電荷泵數字鎖相式頻率綜合器芯片,具有很高的性?xún)r(jià)比。
1 ADF4360-1的工作原理及主要性能
ADF4360-1主要由數字鑒相器、電荷泵、分頻器、計數器及雙模前置P/(P+1)分頻器等組成。如圖1所示。
1.1 工作原理
從ADF4360-1外部輸入的信號有標準頻率源信號和控制信號,14位可編程參考R分頻器對外部頻率源信號分頻后得到參考頻率送至鑒相器??刂菩盘栍蓵r(shí)鐘信號CLK、數據信號DATA和使能信號LE組成。在CLK的控制下,串行輸入24位數據信號,暫時(shí)存放在24位數據寄存器中。在接收到使能信號LE后,先前輸入的24位數據根據地址位到達對應的鎖存器。
ADF4360-1的主分頻比N由雙模預分頻器(P/P+1)、可編程5位A計數器及13位B分頻器實(shí)現,算法為N=B×P+A,輸出頻率為:fout=(B×P+A)×fref/R,通過(guò)設置A,B,R三個(gè)控制字寄存器的控制字來(lái)實(shí)現對鎖相環(huán)的控制。該芯片外圍只需添加環(huán)路濾波器,根據輸出頻率大小選擇合適的參數,即可輸出較穩定的頻率。
1.2 主要性能
ADF4360-1是美國ADI公司生產(chǎn)的一款高性能鎖相頻率合成芯片,主要可應用于無(wú)線(xiàn)射頻通信系統基站(GSM,WCDMA)、手機以及通信檢測設備中,為上下變頻提供本振信號。其特性如下:
工作電壓:3~3.6 V;輸出信號功率可控范圍具有四組可編程雙模分頻器8/9,16/17,31/32;三線(xiàn)串行接口進(jìn)行編程控制;1.8 V邏輯兼容;輸出功率可編程范圍是-13~-6 dB;能夠進(jìn)行模擬和數字鎖定檢測;內部集成VCO;具有軟件和硬件掉電模式。
2 系統的設計與實(shí)現
在中頻發(fā)射電路中,本振源電路模塊對整個(gè)系統的穩定性起著(zhù)至關(guān)重要的作用。本文利用鎖相頻率合成芯片ADF4360-1設計2.33 GHz本振源信號,為射頻發(fā)信機正交混頻電路提供性能良好的本振載波。電路框圖如圖2所示。
2.1 電路參數設定
基于鎖相環(huán)的基本原理,只需要在內部集成VCO的頻率合成芯片ADF4360-1外圍加環(huán)路濾波器,即可實(shí)現PLL頻率合成電路。
本電路設計中,ADF4360-1的PFD輸入頻率為200 kHz,因此參考時(shí)鐘分頻R=50。由公式fout=(B×P+A)×fref/R,可計算出N為11 250,雙模前置分頻器設置為P/(P+1)=32/33,計數器A設置為18,計數器B設置為351。根據ADF4360-1芯片資料,三個(gè)控制寄存器初始化設置為R寄存器0000C9H,C寄存器8FF128H,N寄存器015F4AH,如表1所示。本振源電路輸出信號功率為-6 dB。
2.2 環(huán)路濾波器電路設計
環(huán)路濾波器(LPF)具有低通特性,它主要是抑制鑒相器輸出電壓中的載頻分量和高頻噪聲,降低由VCO控制電壓的不純而引起的寄生輸出。更重要的是它對環(huán)路參數調整起著(zhù)決定性的作用。
利用AD公司提供的專(zhuān)用設計與仿真工具軟件ADI simPLL對圖2結構形成的無(wú)源三階濾波電路進(jìn)行仿真、設計。依照軟件提示,逐步設定各項參數,并選擇芯片型號和環(huán)路濾波器形式,最后生成的電路如圖3所示。
2.3 鎖相環(huán)本振源電路設計
完整的硬件原理圖如圖4所示。
電源電路采用TPS76333和LM317T產(chǎn)生穩定的3.3 V電壓供電。ADF4360-1的參考時(shí)鐘輸入引腳與晶振電路輸出端相連,在內部VCO輸入引腳VTUNE與內部電荷泵輸出引腳CP之間接入三階環(huán)路濾波電路。
核心芯片內部控制寄存器的初始化數值通過(guò)單片機控制寫(xiě)入,單片機采用ATMEL公司的AT89C2051。
3 編程控制及目標寄存器初始化
單片機P1.5,P1.6,P1.7三個(gè)I/O口分別與芯片CLK,DATA,LE相連。圖5給出了數據輸入的時(shí)序圖。數據(DATA)在每個(gè)時(shí)鐘(CLOCK)的上升沿從MSB(最高有效位)開(kāi)始依次寫(xiě)入24位移位寄存器中,直到LSB位寫(xiě)入完成之后,由來(lái)自L(fǎng)E的上升沿將存儲在24位移位寄存器中的數據一次性鎖存入目標寄存器(包括R計數鎖存器、N計數鎖存器、功能鎖存器以及初始化鎖存器),再進(jìn)行下一個(gè)目標寄存器的初始化。寄存器賦值順序為R-C-N,目標寄存器的選擇由移位寄存器最末兩位DB0,DB1來(lái)決定,其中C和N寄存器的賦值時(shí)間間隔應大于5 ms。
單片機控制程序(R寄存器)如下:
4 結 語(yǔ)
本文介紹了利用鎖相頻率合成芯片ADF4360-1為中頻射頻發(fā)信機設計本振信號源,給出了設計的關(guān)鍵參數、控制流程以及部分程序代碼。最后測得相位噪聲為-83 dBc/Hz@1 kHz,達到了基本標準。由于A(yíng)DF4360-1內部集成VCO、外部通過(guò)單片機I/O口寫(xiě)入控制字,因此該系統具有外圍電路簡(jiǎn)單、調試方便、功耗和成本低等特點(diǎn),可廣泛應甩于射頻電路系統以及無(wú)線(xiàn)通信系統中。
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