反激式電源的開(kāi)關(guān)過(guò)程分析

關(guān)于這個(gè)論題很多人已經(jīng)給出了它們的分析，不過(guò)呢寥寥幾句有時(shí)候帶給人更多的是疑惑和迷茫。參考了一些論文和分析，把我個(gè)人對這個(gè)問(wèn)題的分析表述出來(lái)，可能和設計的分析會(huì )有一些誤差，不過(guò)提出一個(gè)大家看得懂的問(wèn)題總是比努力去看懂一些生澀的文字要好些（這里說(shuō)明一點(diǎn)，做的分析和示意可能并不是對的）。

我們分析的主要問(wèn)題還是在Q1管子在關(guān)斷過(guò)程中的響應，至于設計電路減小這個(gè)響應的影響，方法有很多，個(gè)人以為就取值和影響合在一起做一個(gè)小專(zhuān)題。

在關(guān)斷過(guò)程中，如果不考慮加入抑制暫態(tài)過(guò)程的電路，我們看到的波形將不會(huì )是理想的，如下圖所示：

把上回寫(xiě)的功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析：

Mos管關(guān)斷前的穩態(tài)分析：

勵磁電感和漏電感中均儲存能量，同時(shí)由于二極管的結電容存在，次級電容上都存在一定的電壓，次級漏感中無(wú)電流。

然后我們把Mos管關(guān)掉，看下圖:

我們來(lái)把上面的過(guò)程整理一下：

1.MOS管關(guān)斷后,初級電流（勵磁電感和初級漏電感和電源的綜合作用）給MOS輸出電容充電，初級電容，初次級之間電容，次級電容，次級二極管電容，負載電容則開(kāi)始放電（你可以這樣理解，因為壓差小了，電容放電，也可以理解為反向充電），Mos管DS端電壓是上升的（這里可以認為是上面所涉及的分布參數之間的諧振，這個(gè)電路的Q之很小的），此時(shí)的電壓可以認為是線(xiàn)性上升的。

注意此時(shí)的次級的二極管是沒(méi)有導通的，因為DS端電壓比較小。

2.當DS端電壓上升，次級的電壓達到輸出電壓（這是客觀(guān)存在的，因為我們要保證輸出電壓的穩定）+整流管的電壓后,如果沒(méi)有次級漏感，次級回路就導通了，因此DS端電壓會(huì )繼續上升，當克服了次級漏感的影響后，次級電流開(kāi)始上升，在這個(gè)時(shí)候勵磁電感的能量由于有更小的阻抗通路，從初級來(lái)看，初級電流會(huì )減小。

3.這個(gè)時(shí)候起決定性作用的就變成了初級漏感，它不能耦合到次級上沒(méi)有小的阻抗通路，因此初級漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級電容之間諧振，電壓形成幾個(gè)震蕩（如果沒(méi)有吸收和clamped電路這個(gè)過(guò)程會(huì )持續很久）。

初級漏感電流是初級電流的一部分，因此伴隨著(zhù)初級漏感電流的下降的是次級電流的上升，如果沒(méi)有clamped電路，電流的下降會(huì )非?？?，如果加入clamped電路等于把這個(gè)過(guò)程拉長(cháng)，電壓應力也就減小了。