日本創(chuàng )深紫外線(xiàn)發(fā)光二極管輸出功率紀錄

　　波長(cháng)在220納米至350納米之間的高功率深紫外線(xiàn)發(fā)光二極管在殺菌、凈水、醫療、高密度光紀錄、高顯色性L(fǎng)EDled/' target='_blank'>照明以及高速分解處理公害物質(zhì)等領(lǐng)域有廣泛應用。迄今為止，深紫外線(xiàn)光源以準分子激光和各種倍頻激光等氣體和固體為媒介的紫外激光和氣體燈為主流，但是存在體積大、壽命短、價(jià)格高的缺點(diǎn)，難以實(shí)際應用。而使用半導體的高亮度深紫外線(xiàn)LED和深紫外線(xiàn)LD,可以實(shí)現小型化，得到廉價(jià)、高效和長(cháng)壽命的紫外光源，應用前景更加廣闊。

　　氮化鋁鎵材料被認為是最理想的深紫外線(xiàn)發(fā)光材料，研究小組通過(guò)降低氮化鋁鎵緩沖層脫位密度以及把作為電子塊層的多量子屏障插入量子阱發(fā)光層的上部，實(shí)現了世界最高功率輸出。該研究成果打破了以往深紫外線(xiàn)LED不可能實(shí)現高功效的認識，成功使紫外線(xiàn)輸出功率達到實(shí)用水平。同時(shí)，多量子屏障不僅對紫外線(xiàn)發(fā)光元件，對已經(jīng)實(shí)用的藍色LED、綠色LD及LED、白色LED燈的效率的提高也有可能。