如何在DS2784中存儲電量計參數
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序言
若應用參數已正確保存在器件中，DS2784獨立式電量計非常容易使用且精度很高。要優(yōu)化電量計的性能，保存正確數據非常重要。DS2784K提供了一種設置DS2784的簡(jiǎn)便方法。用戶(hù)可以輸入電池特性和單位為mA，V，mAhrs和mΩ的其他應用數據，如圖1所示。隨后DS2784K能將這些數據轉換為實(shí)際保存在器件中的格式，如圖2所示。應用筆記3463："Getting Started with the DS2780"詳細闡述了如何選擇DS2784存儲的各項參數。下文給出了將這些參數保存入器件時(shí)的計算方法。
圖1. 用戶(hù)可在Parameters表格的Application Units子表格中輸入常規單位(如mA，V，mAhrs和mΩ)的應用數據。
圖2. Parameters表格的Device Units子表格中給出了DS2784實(shí)際保存的參數。
計算
圖1給出了DS2784電量計精確工作時(shí)所需的參數。點(diǎn)擊Write Copy按鈕時(shí)，DS2784K軟件將參數轉換成器件實(shí)際存儲的格式，如圖2所示。然后這些數值被寫(xiě)入并復制到EEPROM的60h–7Fh地址中。下面的章節給出了將應用參數轉換為保存在器件各地址中實(shí)際值的計算過(guò)程。計算中使用的單位如AccBias_μV表示累計偏移寄存器以單位μV顯示，AccBias_mA表示同一個(gè)數值以單位mA顯示。編程入各EEPROM地址的數值以十六進(jìn)制給出，格式為數值地址(EEPROM ADDRESS)，各用一個(gè)字節表示。下面計算中的例子數據來(lái)自圖1所用等式中的數值，它們還提供圖2中的數值。
控制寄存器(地址60h)
控制寄存器的地址為60h，位格式如DS2784的數據資料所述。無(wú)需計算。累積偏置寄存器(地址61h)
累積偏置寄存器用于估算不流經(jīng)檢測電阻的電池電流或電池自放電電流。該寄存器存儲的是帶符號數，LSB數值為1.5625μV/RSNS。其地址為61h，范圍為-200.000μV至198.4375μV。假定檢流電阻值為20mΩ，則其范圍為-10mA至9.921875mA，步長(cháng)為78.125μA。AccBias_μV = AccBias_mA × SenseResistor_mΩ
AccBias_μV = 0.3125mA × 20.00mΩ
AccBias_μV = 6.25μV
老化容量寄存器(地址62/63h)
老化容量寄存器存儲額定電池電量，用于估算正常使用情況下電池容量減少的程度。該寄存器存儲的是無(wú)符號數值，LSB值為6.25μVhr/RSNS。其地址為62h至63h，范圍為0至409.59375mVhrs。假設檢流電阻值為20mΩ，則其范圍為0至20479.68755mAhrs，步長(cháng)為0.3125mAhrs。AgingCapacity_μVhrs = AgingCapacity_mAhrs × SenseResistor_mΩ
AgingCapacity_μVhrs = 1220mAhrs × 20.00mΩ
AgingCapacity_μVhrs = 24,400μVhrs
充電電壓寄存器(地址64h)
充電電壓寄存器保存充電電壓門(mén)限，用于檢測滿(mǎn)充電狀態(tài)。該寄存器無(wú)符號，LSB值為19.52mV，其地址為64h，范圍為0至4.9776V。
最小充電電流寄存器(地址65h)
最小充電電流寄存器保存充電電流門(mén)限，用于檢測充滿(mǎn)狀態(tài)。該寄存器無(wú)符號，LSB值為50μV。其地址為65h，范圍為0至12.75mV。假設檢流電阻值為20mΩ，則其范圍為0至637.5mA，步長(cháng)為2.5mA。ChargeCurrent_μV = ChargeCurrent_mA × SenseResistor_mΩ
ChargeCurrent_μV = 80mA × 20.00mΩ
ChargeCurrent_μV = 1600μV
電量空電壓寄存器(地址66h)
電量空電壓寄存器保存用于檢測電池電量空時(shí)的電壓門(mén)限。該寄存器無(wú)符號，LSB值為19.52mV。其地址為66h，范圍為0至4.9776V。
電量空電流寄存器(地址67h)
電量空電流寄存器存儲用于檢測電量空時(shí)的放電電流門(mén)限。該寄存器無(wú)符號，LSB值為200μV。其地址為67h，假設檢流電阻值為20mΩ，則其范圍為0至2550mA，步長(cháng)為10mA。AECurrent_μV = AECurrent_mA × SenseResistor_mΩ
AECurrent_μV = 240mA × 20.00mΩ
AECurrent_μV = 4800μV
電量空40寄存器(地址68h)
電量空40寄存器存儲+40°C時(shí)的電量空數值(如DS2784數據資料中的圖11所示)。該寄存器無(wú)符號，LSB為+40°C時(shí)滿(mǎn)電量的百萬(wàn)分之一。其地址為68h，范圍為+40°C時(shí)滿(mǎn)電量的0至24.9%。
檢流電阻初值寄存器(地址69h)
檢流電阻初值(RSNSP)寄存器保存檢流電阻值，用來(lái)計算絕對電量。該寄存器無(wú)符號，LSB值為1Ω。其地址為69h，范圍為1mhos至255mhos，實(shí)際值為1Ω至3.922mΩ。
滿(mǎn)電量40寄存器(地址6A/6Bh)
滿(mǎn)電量40寄存器存儲+40°C溫度時(shí)的滿(mǎn)電量值(參考DS2784數據資料中的圖11)。該寄存器無(wú)符號，LSB值為6.25μVhr/RSNS。其地址為6Ah至6Bh，范圍為0至409.59375μVhrs。假設檢流電阻的值為20mΩ，則范圍為0至20479.6785mAhrs，步長(cháng)為0.3125mAhr。Full40_μVhrs = Full40_mAhrs × SenseResistor_mΩ
Full40_μVhrs = 1051mAhrs × 20.00mΩ
Full40_μVhrs = 21020μVhrs
滿(mǎn)電量斜率(地址6Ch–6Fh)
已保存有+40°C時(shí)的滿(mǎn)電量點(diǎn)(Full 40)，其他溫度下的滿(mǎn)電量點(diǎn)可通過(guò)滿(mǎn)電量曲線(xiàn)(參考DS2784數據資料中的圖4)的斜率來(lái)計算。各可編程溫度點(diǎn)(T34, T23, T12)之間的滿(mǎn)電量曲線(xiàn)斜率以無(wú)符號字節的形式存儲，單位為ppm/°C。假定+40°C時(shí)滿(mǎn)電量為曲線(xiàn)最高點(diǎn)。溫度每增加1°C時(shí)滿(mǎn)電量曲線(xiàn)重建一次，因此任何溫度下的滿(mǎn)電量都小于或等于下一個(gè)較高溫度的滿(mǎn)電量。斜率范圍為0至15564ppm/°C。注意：該器件僅存儲3個(gè)溫度點(diǎn)，第4個(gè)溫度T01需通過(guò)滿(mǎn)電量曲線(xiàn)第1段的斜率來(lái)計算。下面的公式中所用變量的定義和格式為：Full Seg_4 Slope表示+40°C和T34溫度時(shí)滿(mǎn)電量點(diǎn)之間的斜率。Full_40C_mAhrs表示+40°C時(shí)的滿(mǎn)電量點(diǎn)，單位為mAhrs。Full_T34_mAhrs表示T34溫度時(shí)的滿(mǎn)電量點(diǎn)。T34表示溫度截點(diǎn)，單位為°C。其它等式中所用變量采用相同的形式。
空電量斜率(地址70h–73h)
空電量曲線(xiàn)采用與滿(mǎn)電量曲線(xiàn)類(lèi)似的方式重建。若已存儲有+40°C時(shí)的電量空值(Active Empty 40)，則其他溫度時(shí)的空電量可通過(guò)溫度截點(diǎn)(T34，T23，T12)間的斜率進(jìn)行計算。各空電量的斜率都以無(wú)符號字節形式存儲，單位為ppm/°C。溫度每變化1°C時(shí)重建一次空電量，因此任何溫度下的空電量都大于或等于下一個(gè)較高溫度點(diǎn)的空電量。斜率范圍為0至15564ppm/°C。注意：該器件只能存儲3個(gè)溫度點(diǎn)，第4個(gè)溫度點(diǎn)T01需要通過(guò)測量AE第1段的斜率進(jìn)行計算。下面的公式所用變量的格式和定義為：AE Seg_4 Slope表示+40°C和T34溫度下空電量之間的斜率。AE_40C_mAhrs表示+40°C時(shí)的空電量數值，單位為mAhrs。AE_T34_mAhrs表示T34溫度截點(diǎn)時(shí)的空電量數值，單位為mAhrs。T34表示溫度截點(diǎn)，單位為°C。
待機空電量斜率(地址74h–77h)
待機空電量曲線(xiàn)采用與滿(mǎn)電量和空電量曲線(xiàn)類(lèi)似的方式重建。+40°C時(shí)的待機空電量值固定為0。其他溫度時(shí)的空電量點(diǎn)可通過(guò)溫度截點(diǎn)(T34，T23和T12)間的斜率進(jìn)行計算。各待機空電量點(diǎn)間的斜率都以無(wú)符號字節形式存儲，單位為ppm/°C。溫度每變化1°C時(shí)重建一次待機空電量，因此任何溫度下的待機空電量均大于或等于下一個(gè)較高溫度下的待機空電量。斜率范圍為0至15564ppm/°C。注意：該器件只能存儲3個(gè)溫度點(diǎn)，第4個(gè)溫度點(diǎn)T01需要通過(guò)SE第1段的斜率來(lái)計算。下列公式所用變量的定義和格式如下：SE Seg_4 Slope表示+40°C (此時(shí)電量為0)與T34溫度時(shí)待機空電量數值之間的斜率。SE_40C_mAhrs表明+40°C時(shí)的待機空電量數值，單位為mAhrs。SE_T34_mAhrs表示T34溫度下的待機空電量數值，單位為mAhrs。T34表示溫度截點(diǎn)，單位為°C。
檢流電阻增益寄存器(地址78/79h)
檢流電阻增益(RSGAIN)寄存器用于存儲校準系數，當SNS和VSS之間施加一個(gè)基準電壓時(shí)，該系數可在電流寄存器中產(chǎn)生精確的讀數。該數值為11位，LSB值為1/1024。其地址為78h和79h，范圍為0至1.999，標稱(chēng)值為1.000。
檢流電阻溫度系數寄存器(地址7Ah)
檢流電阻溫度系數(RSTCO)寄存器用于保存檢流電阻的溫度系數。該寄存器存儲的數值為8位，LSB為30.5176ppm/°C。其地址為7Ah，范圍為0至7782ppm/°C。寄存器數值為0時(shí)禁止溫度補償功能。
電流失調偏置寄存器(地址7Bh)
電流失調偏置寄存器允許在原始電流測量值中加入可編程的失調值。該寄存器帶符號，LSB為1.5625μV/RSNS。其地址為7Bh，范圍為-200.000μV至198.4375μV。假設檢流電阻值為20mΩ，則其范圍為-10mA至9.921875mA，步長(cháng)為78.125μA。OffsetBias_μV = OffsetBias_mA × SenseResistor_mΩ
OffsetBias_μV = -0.3125mA × 20.00mΩ
OffsetBias_μV = -6.25μV
溫度截點(diǎn)(地址7Ch–7Eh)
利用上文計算出的斜率和三個(gè)可編程溫度截點(diǎn)(T34, T23, T12)，可以重建滿(mǎn)電量、空電量和待機空電量曲線(xiàn)(參考DS2784數據資料的圖4)。這些截點(diǎn)存儲在帶符號寄存器中，其LSB為+1°C，范圍為-128°C至+40°C。| ValueStored (7Ch) | = T34 | = +18°C | = 12h |
| ValueStored (7Dh) | = T23 | = 0°C | = 00h |
| ValueStored (7Eh) | = T12 | = -12°C | = F4h |
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