單向晶閘管的結構、符號
單向晶閘管的基本結構與符號如圖1 所示。它屬于四層結構,最外的P 層引出的電極為陽(yáng)極A,最外的N 層引出的電極為陰極K,中間的P 層引出的電極為控制極G。
晶閘管的伏安特性曲線(xiàn)如圖2所示。
圖1 單向晶閘管的結構與符號
可控硅相關(guān)文章:可控硅工作原理
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單向晶閘管的基本結構與符號如圖1 所示。它屬于四層結構,最外的P 層引出的電極為陽(yáng)極A,最外的N 層引出的電極為陰極K,中間的P 層引出的電極為控制極G。
晶閘管的伏安特性曲線(xiàn)如圖2所示。
圖1 單向晶閘管的結構與符號
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