齊納二極管原理

在通常情況下，反向偏置的PN結中只有一個(gè)很小的電流。這個(gè)漏電流一直保持一個(gè)常數，直到反向電壓超過(guò)某個(gè)特定的值，超過(guò)這個(gè)值之后PN結突然開(kāi)始有大電流導通（圖1.15）。這個(gè)突然的意義重大的反向導通就是反向擊穿，如果沒(méi)有一些外在的措施來(lái)限制電流的話(huà)，它可能導致器件的損壞。反向擊穿通常設置了固態(tài)器件的最大工作電壓。然而，如果采取適當的預防措施來(lái)限制電流的話(huà)，反向擊穿的結能作為一個(gè)非常穩定的參考電壓。

圖1.15 PN結二極管的反向擊穿。

導致反向擊穿的一個(gè)機制是avalanche multiplication?？紤]一個(gè)反向偏置的PN結。耗盡區隨著(zhù)偏置上升而加寬，但還不夠快到阻止電場(chǎng)的加強。強大的電場(chǎng)加速了一些載流子以非常高的速度穿過(guò)耗盡區。當這些載流子碰撞到晶體中的原子時(shí)，他們撞擊松的價(jià)電子且產(chǎn)生了額外的載流子。因為一個(gè)載流子能通過(guò)撞擊來(lái)產(chǎn)生額外的成千上外的載流子就好像一個(gè)雪球能產(chǎn)生一場(chǎng)雪崩一樣，所以這個(gè)過(guò)程叫avalanche multiplication。

反向擊穿的另一個(gè)機制是tunneling。Tunneling是一種量子機制過(guò)程，它能使粒子在不管有任何障礙存在時(shí)都能移動(dòng)一小段距離。如果耗盡區足夠薄，那么載流子就能靠tunneling跳躍過(guò)去。Tunneling電流主要取決于耗盡區寬度和結上的電壓差。Tunneling引起的反向擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。

結的反向擊穿電壓取決于耗盡區的寬度。耗盡區越寬需要越高的擊穿電壓。就如先前討論的一樣，摻雜的越輕，耗盡區越寬，擊穿電壓越高。當擊穿電壓低于5伏時(shí)，耗盡區太薄了，主要是齊納擊穿。當擊穿電壓高于5伏時(shí)，主要是雪崩擊穿。設計出的主要工作于反向導通的狀態(tài)的PN二極管根據占主導地位的工作機制分別稱(chēng)為齊納二極管或雪崩二極管。齊納二極管的擊穿電壓低于5伏，而雪崩二極管的擊穿電壓高于5伏。通常工程師們不管他們的工作原理都把他們稱(chēng)為齊納管。因此主要靠雪崩擊穿工作的7V齊納管可能會(huì )使人迷惑不解。

實(shí)際上，結的擊穿電壓不僅和它的摻雜特性有關(guān)還和它的幾何形狀有關(guān)。以上討論分析了一種由兩種均勻摻雜的半導體區域在一個(gè)平面相交的平面結。盡管有些真正的結近似這種理想情況，大多數結是彎曲的。曲率加強了電場(chǎng)，降低了擊穿電壓。曲率半徑越小，擊穿電壓越低。這個(gè)效應對薄結的擊穿電壓由很大的影響。大多數肖特基二極管在金屬－硅交界面邊緣有一個(gè)很明顯的斷層。電場(chǎng)強化能極大的降低肖特基二極管的測量擊穿電壓，除非有特別的措施能削弱Schottky barrier邊緣的電場(chǎng)。

圖1.16是以上所討論的所有的電路符號。PN結用一根直線(xiàn)代表陰極，而肖特基二極管和齊納二極管則對陰極端做了一些修飾。在所有這些圖例中，箭頭的方向都表示了二極管正向偏置下的電流方向。在齊納二極管中，這個(gè)箭頭可能有些誤導，因為齊納管通常工作在反向偏置狀態(tài)下。對于casual observer來(lái)說(shuō)，這個(gè)符號出現時(shí)旁邊應該再插入一句“方向反了”。

圖1.16 PN結，肖特基，和齊納二極管的電路圖符號。有些電路圖符號中箭頭是空心的或半個(gè)箭頭。