功率二極管的主要類(lèi)型

1. 普通二極管（General Purpose Diode）
又稱(chēng)整流二極管（Rectifier Diode）
多用于開(kāi)關(guān)頻率不高（1kHz以下）的整流電路中其反向恢復時(shí)間較長(cháng)，一般在5?s以上，這在開(kāi)關(guān)頻率不高時(shí)并不重要正向電流定額和反向電壓定額可以達到很高，分別可達數千安和數千伏以上

2. 快速恢復二極管（Fast Recovery Diode—FRD）
從性能上可分為快速恢復和超快速恢復兩個(gè)等級。前者反向恢復時(shí)間為數百納秒或更長(cháng)，后者則在100ns以下，甚至達到20~30ns。
分為PN結型結構和PIN結構兩種。采用外延型PIN結構的的快速恢復外延二極管（Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED），其反向恢復時(shí)間比較短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右），但其反向耐壓多在1200V以下。

3. 肖特基二極管
以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管稱(chēng)為肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode——SBD），簡(jiǎn)稱(chēng)為肖特基二極管20世紀80年代以來(lái)，由于工藝的發(fā)展得以在電力電子電路中廣泛應用
肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)
反向恢復時(shí)間很短（10~40ns）正向恢復過(guò)程中也不會(huì )有明顯的電壓過(guò)沖在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很?。ㄒ话?.5V左右），明顯低于快速恢復二極管（一般1V左右）
其開(kāi)關(guān)損耗和正向導通損耗都比快速二極管還要小，效率高 肖特基二極管的弱點(diǎn)
當反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會(huì )高得不能滿(mǎn)足要求，因此多用于200V以下反向漏電流較大且對溫度敏感，因此反向穩態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限制其工作溫度.