半導體存儲器

第9章 半導體存儲器
9.1 概述

9.2 只讀存儲器
9.2.1固定ROM的結構和工作原理
一、電路組成
二、讀數
9.2.2可編程只讀存儲器（PROM）
9.2.3可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）
9.2.4集成EPROM
（2716 EPROM）
9.2.5 EPROM的應用
作業(yè)：P287 9.1 9.2

第9章 半導體存儲器
9.1 概述
半導體存儲器以其容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長(cháng)等特點(diǎn)，已廣泛應用于數字系統。
根據用途分為兩大類(lèi)：
1、只讀存儲器 ROM。用于存放永久性的、不變的數據。
2、隨機存取存儲器RAM。用于存放一些臨時(shí)性的數據或中間結果，需要經(jīng)常改變存儲內容。

9.2 只讀存儲器
9.2.1固定ROM的結構和工作原理
一、電路組成

它由一個(gè)二線(xiàn)―四線(xiàn)地址譯碼器和一個(gè)4×4的二極管存儲矩陣組成。
存儲矩陣由二極管或門(mén)組成，其輸出為D0～D3 。
為輸入的地址碼，可產(chǎn)生W0～W3 4個(gè)不同的地址，
W0～W3稱(chēng)為字線(xiàn)，用以選擇存儲的內容，
D0～D3稱(chēng)作位線(xiàn)。
在W0～W3中，任一輸出為高電平時(shí)，在D0～D3 4根線(xiàn)上輸出一組4位二進(jìn)制代碼，每組代碼稱(chēng)作一個(gè)字。

二、讀數
舉例分析ROM的存儲原理。

9.2.2可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器是一種用戶(hù)可直接向芯片寫(xiě)入信息的存儲器，這樣的ROM稱(chēng)為可編程ROM，簡(jiǎn)稱(chēng)PROM。向芯片寫(xiě)入信息的過(guò)程稱(chēng)為對存儲器芯片編程。
熔絲 見(jiàn)P273 圖9.2.2
9.2.3可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）
它允許對芯片進(jìn)行反復改寫(xiě)。
根據對芯片內容擦除方式的不同，可分為：
一、EPROM，紫外線(xiàn)擦除方式，數據可保持10年左右。
二、EEPROM（也寫(xiě)作 PROM），電擦除可編程方式，速度快，數據可保持10年以上時(shí)間。

9.2.4集成EPROM（2716 EPROM）
P275 圖9.2.4（b）畫(huà)出了2716的引腳圖，各引腳的功能如下：
A10～A0：地址碼輸入端。
D7～D0：8位數據線(xiàn)。正常工作時(shí)為數據輸出端，編程時(shí)為寫(xiě)入數據輸入端。
VCC和GND：＋5V工作電源和地。

9.2.5 EPROM的應用
實(shí)現組合邏輯函數的步驟：
（1）將函數化為標準與一或式
（2）確定存儲單元內容
（3）畫(huà)出用PROM實(shí)現的邏輯圖。