可控硅控制開(kāi)關(guān)（SCS）

硅控制開(kāi)關(guān)SCS(SILICon ControlLED Switch)亦稱(chēng)四端小功率晶閘管。它屬于新穎、多功能半導體器件。只要改變其接線(xiàn)方式，就可構成普通晶閘管(SCR)、可關(guān)斷晶閘管(GTO)、逆導晶閘管(RCT)、互補型N門(mén)極晶閘管(NGT)、程控單結晶體管(PUT)、單結晶體管(UJT)，此外還能構成NPN型晶體管、PNP型晶體管、肖克萊二極管(SKD)、3種穩壓二極管、N型或P型負阻器件，分別實(shí)現十多種半導體器件的電路功能。迄今為止，還不曾有哪種器件象它具有如此眾多的功能。因此它被譽(yù)為新穎“萬(wàn)能”器件亦當之無(wú)愧。

　　硅控制開(kāi)關(guān)屬于PNPN四層四端器件，其內部結構、等效電路及符號。等效電路是由NPN晶體管(T1)和PNP晶體管(T2)組成的。四個(gè)引出端分別是陽(yáng)極A、陰極K、陽(yáng)極門(mén)極GA、陰極門(mén)極GK。由于其門(mén)極觸發(fā)電流極小(幾微安)，開(kāi)關(guān)時(shí)間(tON、toFF)極短，所以它相當于一只高靈敏度的小功率晶閘管。容量一般為60V、0.5A，大多采用金屬殼封裝，管徑為8mm，管腳排列順序見(jiàn)圖2。國外典型產(chǎn)品有3N58、3N81、MAS32、3SF11等。

　　硅控制開(kāi)關(guān)的最大特點(diǎn)是在PNPN的每一層都有一個(gè)引出端，所以使用極靈活。在不同接線(xiàn)方式下，硅控制開(kāi)關(guān)的電路功能詳見(jiàn)表1。其中，肖克萊二極管SKD(Shockley Diode)屬于四層、高速、可控半導體整流二極管，可作開(kāi)關(guān)二極管或觸發(fā)器，用于激光脈沖發(fā)生器中。除表中所列用途之外，硅控制開(kāi)關(guān)還可用作繼電器驅動(dòng)器、延時(shí)電路、脈沖發(fā)生器、雙穩態(tài)觸發(fā)器、高靈敏度電平檢測器。

　　硅控制開(kāi)關(guān)伯GTO使用時(shí)，需注意以下幾點(diǎn)

　　第一：A極接電源正極，K極接電源負極;

　　第二：GA極加負脈沖時(shí)器件導通。加正脈沖時(shí)器件關(guān)斷;

　　第三：GK極加正脈沖時(shí)器件導通，加負脈沖時(shí)器件關(guān)斷。

　　下面介紹利用萬(wàn)用表檢查硅控制開(kāi)關(guān)的方法

　　1.檢查三個(gè)PN結的單向導電性

　　將萬(wàn)用表?yè)艿絉×1k檔，分別測量A-GA、GA-GK、GK

　　-K之間的正、反向電阻。正向電阻應為幾千歐至十幾千歐，反向電阻為無(wú)窮大，說(shuō)明PN結具有單向導電性。

　　2.檢查逆導性

　　只將GA與A短接，即可觀(guān)察到逆導性。但為使效果更明顯，現將GK與K也短接，此時(shí)A、K之間只有兩個(gè)同極性并聯(lián)著(zhù)的硅PN結，而且K極是接PN結正極，A極接PN結的負極。因此，用黑表筆接K極，紅表筆接A極，測出的是正向電阻，約為幾千歐。該特性就稱(chēng)為“逆導”(反向導通之意)。

　　若交換表筆位置，就無(wú)逆導性，電阻變成無(wú)窮大。

　　3.檢查觸發(fā)能力

　　首先用黑表筆接A 極，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大，證明器件關(guān)斷。再按下述步驟操作：

　　(1)用紅表筆尖搭一下GA極，然后脫開(kāi)(但紅表筆始終接著(zhù)A極)，為相當于給GA極加負脈沖，若電阻迅速減小，則說(shuō)明器件具有觸發(fā)能力。

　　(2)拿黑表筆搭一下GK極，旋即脫開(kāi)，這相當于給GK極輸入正脈沖，電阻值迅速降低，表明有觸發(fā)能力。

　　4.檢查關(guān)斷能力

　　首先利用上面介紹的方法使器件導通，再進(jìn)行以下操作：

　　(1)用黑表筆尖搭一下GA極，隨即脫開(kāi)，如果電阻變成無(wú)窮大，證明器件被關(guān)斷.

　　(2)用紅表筆尖搭一下GK極，迅速脫開(kāi)，電阻呈無(wú)窮大，說(shuō)明SCS關(guān)斷.