雙極性器件還是CMOS器件比較

設計低功耗混合信號設備的另一個(gè)重要組件是高可靠性、小型、低功耗非易失性存儲器。鐵電存儲器(FRAM)可提供獨特的性能，是眾多應用中極具吸引力的非易失性存儲器選擇，其與眾不同的特性包括類(lèi)似RAM的快速寫(xiě)入速度、低電壓低功耗寫(xiě)入工作、超長(cháng)使用壽命以及高靈活度的架構等。該存儲器已經(jīng)集成至上文所述的低功耗數字工藝技術(shù)中。

　　FRAM的工作電壓為1.5V，與浮柵器件不同，它不需要充電泵。與所有非易失性存儲器一樣，其可靠性問(wèn)題主要涉及寫(xiě)入/讀取周期持久性、數據保持以及高溫使用壽命。即便在多次工作之后，FRAM也可保持優(yōu)異的非周期和周期位性能。

　　封裝技術(shù)

　　當需要在同一IC中實(shí)現不同性能指標時(shí)，可高效使用封裝技術(shù)。例如，一些應用需要同時(shí)具有低噪聲、低功耗數字性能，可通過(guò)將兩種不同工藝的硅裸片布置在同一封裝中來(lái)實(shí)現?？蓪⒐杪闫M(jìn)行堆棧，節省電路板空間。隨著(zhù)封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，還可將電感器與電容器等無(wú)源元件集成在封裝內。板上裸片貼裝(Chip on Board)技術(shù)能夠將整個(gè)IC完全嵌入到印刷電路板中，為密集型應用節省寶貴的空間。