FT245BM的接口電路設計

FT245BM的接口電路設計

設計采用USB總線(xiàn)供電，圖2中FT245BM與一片MCU相連，MCU的一個(gè)8位端口用來(lái)傳輸數據，另外一個(gè)端口用來(lái)控制和產(chǎn)生FT245BM需要的4根握手信號線(xiàn)，即RXF#、TXE#、RD#、WR。TXE#為低，表示當前FIFO發(fā)送緩沖區空，這時(shí)WR脈沖由高變低就將數據線(xiàn)D0-D7上數據寫(xiě)入FIFO發(fā)送緩沖區中；當TXE#變高時(shí)，表示當前FIFO發(fā)送緩沖區滿(mǎn)或者正在存儲上一個(gè)字節，禁止向發(fā)送緩沖區中寫(xiě)數據。RXF#為低，表示當前FIFO接收緩沖區有數據，這時(shí)RD#脈沖由低變高，將從FIFO接收緩沖區中讀取數據；讀信號RD#為低時(shí)，把數據讀到數據線(xiàn)D0...D7上；當RXF#為高時(shí)，禁止從FIFO接收緩沖區讀數據。讀寫(xiě)時(shí)序見(jiàn)圖3與圖4。

圖2　硬件設計原理

圖2中的93C46（93C56或93C66）是一片EEPROM，用于存儲產(chǎn)品的VID、PID、設備序列號及一些說(shuō)明性文字等。該EEPROM是可選的，若沒(méi)有EEPROM，FT245BM將使用默認的VID、PID、產(chǎn)品描述符和電源描述符，并且沒(méi)有設備的序列號。

設計時(shí)需在USB接口的電源端連接一個(gè)磁珠，以減少設備的噪聲和USB電纜輻射對主機產(chǎn)生的電磁干擾；電源端增加了去耦和旁路電容，以提高電路的抗干擾性能。還需注意的是，電路中RSTOUT#用來(lái)提供上電復位MCU。如果MCU本身有復位邏輯，那么通常就不需使用RSTOUT#來(lái)復位設備，這部分連接與47K下拉電阻就能省略。