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D類(lèi)放大器,D類(lèi)放大器是什么意思

作者: 時(shí)間:2013-11-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
也可以用互補金屬氧化物半導體(cmos)晶體管實(shí)現,如圖1所示。
  圖1、cmos線(xiàn)性輸出級
  注:output stage=輸出級
  speaker=揚聲器
  ground=地
  功率消耗在所有線(xiàn)性輸出級,因為產(chǎn)生輸出電壓vout的過(guò)程中不可避免地會(huì )在至少一個(gè)輸出晶體管內造成非零的ids和vds。功耗大小主要取決于對輸出晶體管的偏置方法。
  a 類(lèi)拓撲結構使用一只晶體管作為直流(dc)電流源,能夠提供揚聲器需要的最大音頻電流。a類(lèi)輸出級可以提供優(yōu)良的音質(zhì),但功耗非常大,因為通常有很大的dc偏置電流流過(guò)輸出級晶體管(這是我們不期望的),而沒(méi)有提供給揚聲器(這是我們期望的)。
  b 類(lèi)拓撲結構沒(méi)有dc偏置電流,所以功耗大大減少。其輸出晶體管是以推拉方式獨立控制,從而允許高端晶體管為揚聲器提供正電流,而低端晶體管吸收負電流。由于只有信號電流流過(guò)晶體管,因而減少了輸出級功耗。但是b類(lèi)放大器電路的音質(zhì)較差,因為當輸出電流過(guò)零點(diǎn)和晶體管在通斷狀態(tài)之間切換時(shí)會(huì )造成線(xiàn)性誤差(交越失真)。
  ab 類(lèi)放大器是a類(lèi)放大器和b類(lèi)放大器的組合折衷,它也使用dc偏置電流,但它遠小于單純的a類(lèi)放大器。小的dc偏置電流足以防止交越失真,從而能提供良好的音質(zhì)。其功耗介于a類(lèi)放大器和b類(lèi)放大器之間,但通常更接近于b類(lèi)放大器。與b類(lèi)放大器電路類(lèi)似,ab類(lèi)放大器也需要一些控制電路以使其提供或吸收大的輸出電流。
  不幸的是,即使是精心設計ab類(lèi)放大器也有很大的功耗,因為其中等范圍的輸出電壓通常遠離正電源或負電源。由于漏源極之間的電壓降很大,所以會(huì )產(chǎn)生很大的瞬時(shí)功耗ids×vds。d 類(lèi)放大器由于具有不同的拓撲結構,其功耗遠小于上面任何一類(lèi)放大器。d類(lèi)放大器的輸出級在正電源和負電源之間切換從而產(chǎn)生一串電壓脈沖。這種波形有利于降低功耗,因為當輸出晶體管在不導通時(shí)具有零電流,并且在導通時(shí)具有很低的vds,因而產(chǎn)生較小的功耗ids×vds 。
  圖2、d類(lèi)開(kāi)環(huán)放大器框圖
  注:modulator=調制器
  switching output stage=開(kāi)關(guān)輸出級
  lossless low-pass filter (lc)=無(wú)損低通濾波器(lc)
  speaker =揚聲器
  由于大多數音頻信號不是脈沖串,因此必須包括一個(gè)調制器將音頻輸入轉換為脈沖信號。脈沖的頻率成分包括需要的音頻信號和與調制過(guò)程相關(guān)的重要的高頻能量。經(jīng)常在輸出級和揚聲器之間插入一個(gè)低通濾波器以將電磁干擾(emi)減至最小,并且避免以太多的高頻能量驅動(dòng)揚聲器。為了保持開(kāi)關(guān)輸出級的功耗優(yōu)點(diǎn),要求該濾波器是無(wú)損的(或接近于無(wú)損)。低通濾波器通常采用電容器和電感器,只有揚聲器是耗能元件。
  圖3. 差分開(kāi)關(guān)輸出級和lc低通濾波器
  圖4是a類(lèi)放大器和b類(lèi)放大器輸出級功耗(pdiss)的理想值與ad1994 d類(lèi)放大器輸出級功耗的測量值的比較。圖中的曲線(xiàn)是指給定的音頻正弦波信號的輸出級功率與揚聲器提供的負載功率(pload)之間的關(guān)系。其中負載功率相對最大負載(pload max )功率水平標準化,箝位的正弦波信號保證10%總諧波失真(thd)。圖中的垂直線(xiàn)表示pload開(kāi)始箝位的位置。
  圖4、a類(lèi)、b類(lèi)放大器和d類(lèi)放大器輸出級的功耗比較 
  注:normalized power dissipation=標準化功耗
  normalized load power=標準化負載功率
  class a ideal=a類(lèi)放大器理想值
  class b ideal=b類(lèi)放大器理想值
  class d ad199x measured=ad199x d類(lèi)放大器測量值
  no clipping=?jīng)]有箝位
  amplifier clips=放大器箝位
  max power the amp can deliver=放大器可提供的最大功率
  output is clipped at this power level=在這個(gè)功率水平條件下的箝位輸出
  可以看出,對于多種負載其功耗明顯不同,尤其是在高端和中端值負載條件下。在箝位開(kāi)始之初,d類(lèi)放大器輸出級的功耗約是b類(lèi)放大器的1/2.5,是a類(lèi)放大器的1/27。應當注意,消耗在a類(lèi)放大器輸出級的功率比傳遞到揚聲器的功耗大,這是使用大的dc偏置電流的結果。
  輸出級功率效率eff定義如下: 
  在箝位開(kāi)始之初,a類(lèi)放大器的eff=25%,b類(lèi)放大器的eff=78.5%,d類(lèi)放大器的eff=90%。
  對于a類(lèi)放大器和b類(lèi)放大器,這些最佳例證經(jīng)常在教科書(shū)中引用。
  圖5、a類(lèi)、b類(lèi)和d類(lèi)放大器輸出級的功率效率比較
  注:power efficiency=功率效率
  normalized load power=標準化負載功率
  class d ad199x measured=ad199x d類(lèi)放大器測量值
  class b ideal=b類(lèi)放大器理想值
  class a ideal=a類(lèi)放大器理想值
  功耗和功率效率的差異在中等功率水平處很大。這對于音頻很重要,因為大音量音樂(lè )的長(cháng)期平均功率水平要比達到pload max的瞬時(shí)峰值水平低很多(為其1/5到1/20,取決于音樂(lè )類(lèi)型)。因而,對于音頻放大器,[pload = 0.1×pload max] 是一個(gè)合理的平均功率水平,按照這個(gè)功率水平評估pdiss。在這個(gè)功率水平,d類(lèi)放大器輸出級的功耗是b類(lèi)放大器的1/9,是a類(lèi)放大器的1/107。
  對于10 w pload max的音頻放大器,1 w的平均pload認為是保真音頻功率水平。在這種條件下,d類(lèi)放大器輸出級內部功耗為282 mw,對于b類(lèi)放大器為2.53 w,對于a類(lèi)放大器為30.2 w。在這種情況下,d類(lèi)放大器的效率從高功率條件下的90%減少到78%。但即使是78%也要遠優(yōu)于b類(lèi)放大器和a類(lèi)放大器,它們的效率分別為28%和3%。
  這些差別對于系統設計具有重要的影響。對于1 w以上的功率水平,線(xiàn)性輸出級的過(guò)大的功耗要求采用有效的散熱方法以避免不可接受的發(fā)熱,通常是使用大金屬板作為散熱板,或用風(fēng)扇促進(jìn)放大器空氣散熱。如果放大器是集成電路(ic),就可能需要大尺寸、高成本的增強散熱封裝以促進(jìn)熱傳導。這些考慮在消費類(lèi)產(chǎn)品中很麻煩,例如平板電視,其印制電路板面積(pcb)面積很寶貴,或汽車(chē)音響,其發(fā)展趨勢是在固定空間內增加通道數。
  對于1 w以下的功率水平,處理浪費的功率可能比處理散熱還困難。如果是電池供電,線(xiàn)性放大器輸出級消耗電池電荷要比d類(lèi)放大器快。在上面的例子中,d類(lèi)放大器輸出級耗費的電源電流是b類(lèi)放大器的1/2.8,是a類(lèi)放大器的1/23.6,因此它們用于蜂窩電話(huà),pda和mp3播放器等產(chǎn)品在電池的壽命方面有很大差別。
  迄今為止,我們?yōu)榱撕?jiǎn)單起見(jiàn),只是專(zhuān)門(mén)注重放大器輸出級的分析。但是當考慮放大器系統中所有功耗時(shí),線(xiàn)性放大器要比低輸出功率d類(lèi)放大器更有利。原因是在低功率水平條件下,產(chǎn)生和調制開(kāi)關(guān)波形所需要的功率會(huì )很大。因而,精心設計的低中功率的ab類(lèi)放大器的寬系統靜態(tài)功耗優(yōu)勢使得它們可與d類(lèi)放大器相競爭。雖然對于寬的輸出功率范圍,毫無(wú)疑問(wèn)d類(lèi)放大器具有低功耗優(yōu)勢。
  d類(lèi)放大器術(shù)語(yǔ)以及差分方式與單端方式的比較 
  圖3示出d類(lèi)放大器中輸出晶體管和lc濾波器的差分實(shí)現。這個(gè)h橋具有兩個(gè)半橋開(kāi)關(guān)電路,它們?yōu)闉V波器提供相反極性的脈沖,其中濾波器包含兩個(gè)電感器、兩個(gè)電容器和揚聲器。每個(gè)半橋包含兩個(gè)輸出晶體管,一個(gè)是連接到正電源的高端晶體管mh,另一個(gè)是連接到負電源的低端晶體管ml。圖3中示出的是高端pmos晶體管。經(jīng)常采用高端nmos晶體管以減小尺寸和電容,但需要特殊的柵極驅動(dòng)方法控制它們。
  全h橋電路通常由單電源(vdd)供電,接地端用于接負電源端(vss)。對于給定的vdd和vss,h橋電路的差分方式提供的輸出信號是單端方式的兩倍,并且輸出功率是其四倍。半橋電路可由雙極性電源或單極性電源供電,但單電源供電會(huì )對dc偏置電壓產(chǎn)生潛在的危害,因為只有vdd/2電壓施加到過(guò)揚聲器,除非加一個(gè)隔直電容器。
  “激勵”的半橋電路電源電壓總線(xiàn)可以超過(guò)lc濾波器的大電感器電流產(chǎn)生的標稱(chēng)值。在vdd和vss之間加大的去耦電容器可以限制激勵dv/dt的瞬態(tài)變化。全橋電路不受總線(xiàn)激勵的影響,因為電感器電流從一個(gè)半橋流入,從另一個(gè)半橋流出,從而使本地電流環(huán)路對電源干擾極小。
音頻放大器
  雖然利用d類(lèi)放大器的低功耗優(yōu)點(diǎn)有力推動(dòng)其音頻應用,但是有一些重要問(wèn)題需要設計工程師考慮,包括:
  輸出晶體管尺寸選擇、輸出級保護、音質(zhì)、調制方法、抗電磁干擾(emi)、lc濾波器設計、系統成本
  輸出晶體管尺寸選擇
  選擇輸出晶體管尺寸是為了在寬范圍信號調理范圍內降低功耗。當傳導大的ids時(shí)保證vds很小,要求輸出晶體管的導通電阻(ron)很?。ǖ湫椭禐?.1Ω~0.2Ω)。但這要求大晶體管具有很大的柵極電容(cg)。開(kāi)關(guān)電容柵極驅動(dòng)電路的功耗為cv2f,其中c 是電容,v是充電期間的電壓變化,f是開(kāi)關(guān)頻率。如果電容或頻率太高,這個(gè)“開(kāi)關(guān)損耗”就會(huì )過(guò)大,所以存在實(shí)際的上限。因此,晶體管尺寸的選擇是傳導期間將ids×vds損失降至最小與將開(kāi)關(guān)損耗

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