藍牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

藍牙4.0超越過(guò)往 三大操作系統支持飛速發(fā)展

　　微軟、蘋(píng)果等操作系統早已經(jīng)原生支持藍牙4.0，谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技術(shù)。這意味著(zhù)藍牙4.0得到了蘋(píng)果、谷歌、微軟為代表的三大操作系統的支持。鑒于A(yíng)ndroid高達70%的市場(chǎng)份額，它的原生支持將使得藍牙4.0迎來(lái)更大的市場(chǎng)空間?！八{牙產(chǎn)品總出貨量已經(jīng)超過(guò)90億，而每年均有近20億藍牙設備進(jìn)入市場(chǎng)。今年預計25億的出貨量?！盉luetooth SIG開(kāi)發(fā)者計劃總監何根飛表示。

　　基于藍牙4.0 技術(shù)的藍牙智能應用配件的增長(cháng)態(tài)勢將非?？捎^(guān)。數據預測，2013年搭載藍牙4.0的配件總出貨量將達2.2億部，2014年達5億部，2018年則超過(guò)11億部。2013-2014年將是藍牙4.0增速最快的階段。

　　FinFET點(diǎn)燃晶圓代工廠(chǎng)戰火 主流廠(chǎng)商加速導入

　　目前英特爾（Intel）是唯一完成FinFET制程技術(shù)實(shí)作的制造商。該公司自2012年初即采用自有的第一代22奈米FinFET技術(shù)，生產(chǎn)IvyBridge CPU。未來(lái)幾年內，愈來(lái)愈多頂尖IC設計業(yè)者將擴大投資并導入FinFET技術(shù)，以制造更先進(jìn)的智慧型手機和平板應用處理器。為因應客戶(hù)需求，臺積電、格羅方德（GLOBALFOUNDRIES） 與三星（Samsung）等主要晶圓代工廠(chǎng)已積極排定FinFET量產(chǎn)時(shí)程，最快可望于2013年第三季開(kāi)始試產(chǎn)FinFET制程，準備好投入量產(chǎn)則將在 2014年第三季以后。屆時(shí)，IC設計業(yè)者與晶圓代工廠(chǎng)合作下，將推出以FinFET技術(shù)為基礎的應用處理器，與IDM業(yè)者共同角逐市場(chǎng)商機。

　　第三代半導體材料成本大幅降低 功率應用潛力巨大

　　未來(lái)第三代半導體的發(fā)展趨勢主要具備以下幾方面特征：半導體照明將側重于降低成本和向更廣闊的市場(chǎng)拓展；由國防推動(dòng)的射頻領(lǐng)域應用需要更高的功率密度以實(shí)現降低成本；功率應用有著(zhù)最大的增長(cháng)潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發(fā)仍需攻關(guān)。

　　日本在過(guò)去的兩年中發(fā)展方向有所轉變，很多公司轉向成為專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)GaN的企業(yè)。發(fā)生轉變的原因主要包括：600V-1200V功率器件已成為規模最大的市場(chǎng)，而GaN在這一區間內有著(zhù)十分優(yōu)異的表現；在SiC基底上生長(cháng)GaN技術(shù)的進(jìn)步使得GaN功率器件的成本大幅度降低；企業(yè)只需通過(guò)對現有設備進(jìn)行調整便可實(shí)現生產(chǎn)的轉型和升級。

　　導入TSV制程技術(shù) 模擬芯片邁向3D堆疊架構

　　類(lèi)比積體電路設計將進(jìn)入三維晶片（3D IC）時(shí)代。在數位晶片開(kāi)發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類(lèi)比晶片公司也積極建置類(lèi)比3D IC生產(chǎn)線(xiàn)，期透過(guò)矽穿孔（TSV）與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類(lèi)比元件，以提升包括電源晶片、感測器與無(wú)線(xiàn)射頻（RF）等各種類(lèi)比方案效能。奧地利微電子執行副總裁Thomas Riener表示，導致印刷電路板（PCB）空間愈來(lái)愈不夠用，且系統設計難度也與日俱增，因此類(lèi)比晶片制程技術(shù)勢必須有全新的突破，才能克服此一技術(shù)挑戰。目前類(lèi)比晶片在3D IC領(lǐng)域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠(chǎng)與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術(shù)研發(fā)，讓此一技術(shù)愈來(lái)愈成熟，將引領(lǐng)類(lèi)比晶片邁向新的技術(shù)里程碑。

　　新能源應用加持IGBT市場(chǎng)商機無(wú)限

　　在2011-2012年IGBT市場(chǎng)少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場(chǎng)已回歸穩定成長(cháng)腳步，具體而言，市場(chǎng)規模預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。

　　IGBT在電動(dòng)車(chē)/動(dòng)力混合汽車(chē)（ EV/HEV），再生能源（ Renewable Energies），電機驅動(dòng)器（ Motor Drive），不間斷電動(dòng)力系統 （UPS）及交通上的應用是市場(chǎng)成長(cháng)的動(dòng)力來(lái)源。如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認為IGBT市場(chǎng)絕沒(méi)有進(jìn)入彌留之際或是衰退期，IGBT市場(chǎng)的商機無(wú)限。

　　中國或再調關(guān)稅 加大面板業(yè)扶持力度