鐵電在電力參數監測中的應用

　　通常情況下，停電是不可避免的，為了不破壞系統中的數據，必須使用非易失性存儲器，如果使用EEPROM或閃速存儲器(Flash Memory)作為存儲介質(zhì)顯然是不合適的，因為它們的寫(xiě)操作需要數十毫秒，特別是在實(shí)時(shí)性要求較高的場(chǎng)合必須用電池支持的SRAM，它既有RAM的讀寫(xiě)速度，又有ROM掉電數據不丟失的特性。另外使用電池支持的SRAM，還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是可以在SRAM中放置一些密碼字，起到硬件加密的作用。但是電池支持的SRAM在實(shí)際使用過(guò)程中有數據不可靠，容易丟失。另外電池容易受到環(huán)境因數的影響，例如濕度，振動(dòng)。RAMTRON公司研制的鐵電存儲器成功批量生產(chǎn)解決了電池問(wèn)題。它有以下特點(diǎn)：

　　1．非易失性：掉電后數據能保存10 年，所有產(chǎn)品都是工業(yè)級。
　　2．擦寫(xiě)次數多：5V供電的FRAM 的擦寫(xiě)次數1010次，低電壓的FRAM 的擦寫(xiě)次數為無(wú)限次。
　　3．速度快：串口總線(xiàn)的FRAM 的CLK的頻率高達20M， 并且沒(méi)有10MS的寫(xiě)等待周期，并口的訪(fǎng)問(wèn)速度70NS。
　　4．功耗低：靜態(tài)電流小于10UA，讀寫(xiě)電流小于150UA。
　　5．5V 供電的FRAM在讀寫(xiě)次數超過(guò)100億次后還能和RAM一樣工作，只是數據不能保存。

　　存儲器模塊由Fm1808構成，具體電路見(jiàn)本公司設計指南。Fm1808的片選引腳/CS信號與SRAM稍有不同，SRAM為低電平選通，而Fm1808為下降沿選通。（見(jiàn)下圖）掉電數據保護電路通過(guò)控制/CS保證了上電和掉電期間禁止Fm1808進(jìn)行寫(xiě)操作。Fm1808有32K字節的空間。如需更大容量，可外擴。在明年的上半年有望推出1Mbit鐵電存儲器。

　　RAMTRON另有一款多功能芯片FM3808（集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘，看門(mén)狗，電壓檢測，32K FRAM），需外置電池或電容，但僅供時(shí)鐘電源。它可以取代電池支持的SRAM+時(shí)鐘+EEPROM方案。

　　鐵電技術(shù)是一種全新的技術(shù)，用在本系統中大大的減小了線(xiàn)路板的面積，降低了電路的復雜性，保證數據的可靠，有助供電管理部門(mén)作出更加合理的決策。