適用于小功率電機驅動(dòng)的MOSFET逆變模塊設計

IC。在實(shí)際應用中，當負載電流非常大，或有沖擊電涌噪聲施加在VB或VS端時(shí)，VB可能在很短時(shí)間內被拉到0V以下。除了對HVIC本身造成破壞外，還會(huì )使HVIC出現誤操作或閂鎖現象。當HVIC出現閂鎖時(shí)，其行為將不可預測，而且，即使在恢復正常狀態(tài)后，也可能被電源端之間的過(guò)量電流損壞。這類(lèi)現象與HVIC的設計規則緊密相關(guān)，在設計階段就應排除這種隱患。當HVIC產(chǎn)生誤操作時(shí)，誤操作導致的非正常關(guān)斷可能中斷正常的控制動(dòng)作，但不大可能導致整個(gè)系統的破壞。然而，如果高壓側SR閂鎖電路因電涌噪聲而異常開(kāi)啟，高壓側功率 MOSFET將處于非控導通狀態(tài)，且不能在輸入信號的脈沖負沿到來(lái)時(shí)復位。這種行為很可能在逆變器的某一管腳上造成短路，進(jìn)而破壞功率模塊。為了防止這種現象，設計模塊的HVIC時(shí)，我們針對可能出現的工作和環(huán)境條件，將出現誤操作的可能性降到最低。同時(shí)，當過(guò)量的電涌或沖擊噪聲施加在器件上時(shí)，電平漂移單元和SR閂鎖電路被設計成具有關(guān)斷優(yōu)先的特性。

　　結論

　　本文討論了面向小功率電機驅動(dòng)應用的新型高集成、低噪聲MOSFET逆變模塊。該模塊專(zhuān)為100W無(wú)刷直流內置電機驅動(dòng)系統而開(kāi)發(fā)。本文還討論了該模塊所采用的封裝技術(shù)、MOSFET和HVIC，以及其應用特點(diǎn)。