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正確選擇閃存寫(xiě)入緩沖區大小，優(yōu)化擦寫(xiě)速度

作者： 時(shí)間：2016-12-02 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏



圖3. 對小地址空間（64"512字節）進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，采用不同緩沖區大小與寫(xiě)入時(shí)間關(guān)系

大容量寫(xiě)入緩沖區的產(chǎn)品優(yōu)勢

再來(lái)對比Numonyx公司的M29EW與市場(chǎng)上的同類(lèi)產(chǎn)品S29GL256P。M29EW具有1024字節的寫(xiě)入緩沖區大小而S29GL256P最大的寫(xiě)入緩沖區為64字節。為了說(shuō)明問(wèn)題，這里同時(shí)對兩種閃存芯片相同大小的地址空間進(jìn)行擦寫(xiě)操作，如圖4所示。測試結果表明，M29EW整體的寫(xiě)入時(shí)間是S29GL256P的30%，寫(xiě)入效率遠遠高于S29GL256P。究其原因很簡(jiǎn)單，M29EW采用1024字節的寫(xiě)入緩沖區大小，使得其在寫(xiě)入時(shí)間相比最高采用64字節寫(xiě)入緩沖區的S29GL256P，優(yōu)勢非常明顯。



圖4. M29EW與S29GL256P寫(xiě)入速度比較

（均采用產(chǎn)品最大寫(xiě)入緩沖區大小，M29EW是1024字節而S29Gl256P是64字節）

結論

綜上所述，我們對Numonyx公司的NOR型閃存M29EW進(jìn)行了測試分析，并與市場(chǎng)上同類(lèi)的S29GL系列產(chǎn)品進(jìn)行了比較。分析結果表明，對于需要經(jīng)常進(jìn)行讀寫(xiě)操作的電子產(chǎn)品，如移動(dòng)電子設備，汽車(chē)電子設備來(lái)說(shuō)，在設計過(guò)程中采用盡可能大的緩沖區大小，提高平均每字節寫(xiě)入速度，是優(yōu)化提高讀寫(xiě)速度的關(guān)鍵，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單易行的方法。在執行相同的寫(xiě)入操作時(shí)，選用1024字節的寫(xiě)入緩沖區大小，可使寫(xiě)入速度相比使用64字節緩沖區至少提高2.5倍以上。
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