莫大康分析說(shuō)，存儲器相對3D最容易實(shí)現，因為是把同一種芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此存儲器將在3D方面打先鋒。未來(lái)NAND閃存競爭將迎來(lái)加高堆疊層數來(lái)實(shí)現大容量化的、徹底的技術(shù)轉型。
莫大康最后指出，3D的路其實(shí)不好走，技術(shù)方面難度大，尤其是異質(zhì)架構。其實(shí)最理想的是異質(zhì)架構把邏輯、存儲器、模擬、RF、MEMS都放在一起，這將實(shí)現半導體又一次大躍進(jìn)，但目前還達不到。
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