嵌入式系統基礎及知識及接口技術(shù)總結

(4)分析模型法中使用最多的是排隊模型，它包括三個(gè)部分：輸入流、排隊規則和服務(wù)機構。

(5)使用模型對系統進(jìn)行評價(jià)需要解決3個(gè)問(wèn)題：設計模型、解模型、校準和證實(shí)模型。

接口技術(shù)

1. Flash存儲器

(1)Flash存儲器是一種非易失性存儲器，根據結構的不同可以將其分為NOR Flash和NAND Flash兩種。

(2)Flash存儲器的特點(diǎn)：

A、區塊結構：在物理上分成若干個(gè)區塊，區塊之間相互獨立。

B、先擦后寫(xiě)：Flash的寫(xiě)操作只能將數據位從1寫(xiě)成0，不能從0寫(xiě)成1，所以在對存儲器進(jìn)行寫(xiě)入之前必須先執行擦除操作，將預寫(xiě)入的數據位初始化為1。擦除操作的最小單位是一個(gè)區塊，而不是單個(gè)字節。

C、操作指令：執行寫(xiě)操作，它必須輸入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段時(shí)序(NAND Flash)才能將數據寫(xiě)入。

D、位反轉：由于Flash的固有特性，在讀寫(xiě)過(guò)程中偶爾會(huì )產(chǎn)生一位或幾位的數據錯誤。位反轉無(wú)法避免，只能通過(guò)其他手段對結果進(jìn)行事后處理。

E、壞塊：區塊一旦損壞，將無(wú)法進(jìn)行修復。對已損壞的區塊操作其結果不可預測。

(3)NOR Flash的特點(diǎn)：

應用程序可以直接在閃存內運行，不需要再把代碼讀到系統RAM中運行。NOR Flash的傳輸效率很高，在1MB~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。

(4)NAND Flash的特點(diǎn)

能夠提高極高的密度單元，可以達到高存儲密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快，這也是為何所有的U盤(pán)都使用NAND Flash作為存儲介質(zhì)的原因。應用NAND Flash的困難在于閃存需要特殊的系統接口。

(5)NOR Flash與NAND Flash的區別：

A、NOR Flash的讀速度比NAND Flash稍快一些。

B、NAND Flash的擦除和寫(xiě)入速度比NOR Flash快很多

C、NAND Flash的隨機讀取能力差，適合大量數據的連續讀取。

D、NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引進(jìn)來(lái)尋址，可以很容易地存取其內部的每一個(gè)字節。NAND Flash的地址、數據和命令共用8位總線(xiàn)(有寫(xiě)公司的產(chǎn)品使用16位)，每次讀寫(xiě)都要使用復雜的I/O接口串行地存取數據。

E、NOR Flash的容量一般較小，通常在1MB~8MB之間;NAND Flash只用在8MB以上的產(chǎn)品中。因此，NOR Flash只要應用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND Flash適用于資料存儲。

F、NAND Flash中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數是一百萬(wàn)次，而NOR Flash是十萬(wàn)次。

G、NOR Flash可以像其他內存那樣連接，非常直接地使用，并可以在上面直接運行代碼;NAND Flash需要特殊的I/O接口，在使用的時(shí)候，必須先寫(xiě)入驅動(dòng)程序，才能繼續執行其他操作。因為設計師絕不能向壞塊寫(xiě)入，這就意味著(zhù)在NAND Flash上自始至終必須進(jìn)行虛擬映像。

H、NOR Flash用于對數據可靠性要求較高的代碼存儲、通信產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò )處理等領(lǐng)域，被成為代碼閃存;NAND Flash則用于對存儲容量要求較高的MP3、存儲卡、U盤(pán)等領(lǐng)域，被成為數據閃存。

2、RAM存儲器

(1)SRAM的特點(diǎn)：

SRAM表示靜態(tài)隨機存取存儲器，只要供電它就會(huì )保持一個(gè)值，它沒(méi)有刷新周期，由觸發(fā)器構成基本單元，集成度低，每個(gè)SRAM存儲單元由6個(gè)晶體管組成，因此其成本較高。它具有較高速率，常用于高速緩沖存儲器。

通常SRAM有4種引腳：

CE：片選信號，低電平有效。

R/W：讀寫(xiě)控制信號。

ADDRESS：一組地址線(xiàn)。

DATA：用于數據傳輸的一組雙向信號線(xiàn)。

(2)DRAM的特點(diǎn)：

DRAM表示動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器。這是一種以電荷形式進(jìn)行存儲的半導體存儲器。它的每個(gè)存儲單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，數據存儲在電容器中。電容器會(huì )由于漏電而導致電荷丟失，因而DRAM器件是不穩定的。它必須有規律地進(jìn)行刷新，從而將數據保存在存儲器中。

DRAM的接口比較復雜，通常有一下引腳：

CE：片選信號，低電平有效。

R/W：讀寫(xiě)控制信號。

RAS：行地址選通信號，通常接地址的高位部分。

CAS：列地址選通信號，通常接地址的低位部分。

ADDRESS：一組地址線(xiàn)。

DATA：用于數據傳輸的一組雙向信號線(xiàn)。

(3)SDRAM的特點(diǎn)：

SDRAM表示同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器。同步是指內存工作需要同步時(shí)鐘，內部的命令發(fā)送與數據的傳輸都以它為基準;動(dòng)態(tài)是指存儲器陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數據不丟失。它通常只能工作在133MHz的主頻。

(4)DDRAM的特點(diǎn)

DDRAM表示雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，也稱(chēng)DDR。DDRAM是基于SDRAM技術(shù)的，SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數據傳輸;而DDR內存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。在133MHz的主頻下，DDR內存帶寬可以達到133×64b/8×2=2.1GB/s。

3、硬盤(pán)、光盤(pán)、CF卡、SD卡

4、GPIO原理與結構

GPIO是I/O的最基本形式，它是一組輸入引腳或輸出引腳。有些GPIO引腳能夠加以編程改變工作方向，通常有兩個(gè)控制寄存器：數據寄存器和數據方向寄存器。數據方向寄存器設置端口的方向。如果將引腳設置為輸出，那么數據寄存器將控制著(zhù)該引腳狀態(tài)。若將引腳設置為輸入，則此輸入引腳的狀態(tài)由引腳上的邏輯電路層來(lái)實(shí)現對它的控制。

5、A/D接口

(1)A/D轉換器是把電模擬量轉換為數字量的電路。實(shí)現A/D轉換的方法有很多，常用的方法有計數法、雙積分法和逐次逼進(jìn)法。

(2)計數式A/D轉換法

其電路主要部件包括：比較器、計數器、D/A轉換器和標準電壓源。

其工作原理簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是，有一個(gè)計數器，從0開(kāi)始進(jìn)行加1計數，每進(jìn)行一次加1，該數值作為D/A轉換器的輸入，其產(chǎn)生一個(gè)比較電壓VO與輸入模擬電壓VIN進(jìn)行比較。如果VO小于VIN則繼續進(jìn)行加1計數，直到VO大于VIN，這時(shí)計數器的累加數值就是A/D轉換器的輸出值。

這種轉換方式的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單，但是速度比較慢，特別是模擬電壓較高時(shí)，轉換速度更慢。例如對于一個(gè)8位A/D轉換器，若輸入模擬量為最大值，計數器要從0開(kāi)始計數到255，做255次D/A轉換和電壓比較的工作，才能完成轉換。