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睡覺(jué)晶體和DLD的關(guān)系
作者：
時(shí)間：2010-09-28
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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H.晶體DLD的γ比值
當我們隨機抽測晶體時(shí)，我們是否可測試到晶體目前的狀態(tài)是怎樣的?是“睡眠”，是“蘇醒”，還是“半睡，半醒”呢?又或者，有沒(méi)有某些測試方法可更有效，可靠地檢測睡覺(jué)晶體? 要回答這些問(wèn)題實(shí)在不容易
以求解決問(wèn)題，一些晶體工程師嘗試設計了一個(gè)方法:測試晶體于不同的激勵電平的電阻之比例，而非電阻變化的絕對值。
這種測量的方法是比較晶體的電阻比例和晶體的頻率比例，關(guān)系是:
γ12 = (第一次測試的等值串聯(lián)電阻/第二次測試的等值串聯(lián)電阻)令設定限度
γ13 = (第一次測試的等值串聯(lián)電阻/第三次測試的等值串聯(lián)電阻)令設定限度
(第一次測試的Fr一第二次測試的Fr ) 設定限度
(第一次測試的Fr一第三次測試的Fr ) 設定限度
亦有一些工程師修改了上述的方法，采用了在最大、最小激勵電平之間，多個(gè)測試點(diǎn)的晶體電阻和頻率的變化比。
詳情請參看國際電工委員會(huì )IEC 444-6號文件。
這類(lèi)方法至今仍在晶體行業(yè)中試用，研究及討論，但至今仍米有定論到底那一種規格/方法是最終以及最好。
更復雜的是軍)Il及民)Il晶體對品質(zhì)及成本的要求都不一樣，較難厘定統一標準。
KH1200兀網(wǎng)絡(luò )測試系統可以提供一個(gè)比較方便的)Il戶(hù)界面，給晶體工程師提供研究這些方法的手段。
I．“睡覺(jué)”晶體的定義——“睡覺(jué)”和DLD的關(guān)系
民用晶體的頻率和電阻隨激勵的變化而變化是避免不了的。有些比較小，比如小于1歐姆;有些變化則較大，比如:幾百、幾千歐姆，甚至乎在專(zhuān)用的晶體測量?jì)x器上都不振蕩或是不穩定“Unstable。
究竟不好DLD的晶體會(huì )否“睡覺(jué)”呢?又或DLD有多差勁才會(huì )“睡覺(jué)”呢?還是，其它……？
粗略而言，“睡覺(jué)”晶體可定義為晶體有不重復的DLD特性而又在應用的振蕩線(xiàn)路內不能工作于:
振蕩線(xiàn)路正常工作時(shí)的激勵電平，或低于正常工作的激勵電平五至十倍的電平。
這個(gè)定義，在原理上是對的，但較依賴(lài)每一應用線(xiàn)路，故較難令所有晶體用戶(hù)明自。
遺憾的是在晶體行業(yè)，仍未有對睡覺(jué)晶體一個(gè)清楚的定義。作為晶體測量?jì)x器的制造商，科研公司將盡力提供好的儀器助您分析問(wèn)題。KH-1200兀網(wǎng)絡(luò )測試系統釗一對DLD問(wèn)題采111了最好測量算法，以助這類(lèi)問(wèn)題的解決。
J．晶體的測量
基于上述對晶體DLD的不可重復特性的分析討論，在測試晶體時(shí)，應注意以下的問(wèn)題:
a. DLD的測試:
為了消除測量?jì)x器誤差帶來(lái)的影響:
不要測試DLD-dFL＞或DLD-dRL…等等。
晶體低于100 MHz時(shí)，測試DLD-d
Fr，和DLD-dRr，和
晶體高于100 MHz或以上時(shí)，測試DLD-dFs，和DLD-dRs
b. 復測以檢驗測試結果(包括所有其它參數):
當重新再次測量晶體的結果來(lái)復檢，請留意晶體在第一次測試時(shí)，可能己被激活。最好將晶體放幾天再重新測試。
C 不良品分析:
當進(jìn)行不良品分析時(shí)，應注意“老化率”差的晶體其參數也會(huì )隨時(shí)間的變化而變化。但是，“老化率”不好的晶體，是不會(huì )有被外界作用而激活的現象。有些晶體可能不好的原因可能有兩種情況:一是老化性能差;一是晶體DLD性能差。
d. Fs穩定”，FL不穩定”的晶體:
有些晶體當測試FL時(shí)，Unstable，但是，當測試Fs或Fr時(shí)，有能夠穩定振蕩。這類(lèi)情況大都是晶體的DLD問(wèn)題。當遇到這類(lèi)問(wèn)題，可用KH1200的DLD圖形掃描功能，便可得到這類(lèi)晶體的DLD特性(注意以上的b點(diǎn))。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/195277.htm
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