Multisim 10在單管共射放大電路中的應用
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1．2 溫度對靜態(tài)工作點(diǎn)(Q點(diǎn))的影響
溫度掃描分析用來(lái)研究溫度變化對電路性能的影響。通常仿真溫度是27℃，溫度掃描分析相當于在不同的環(huán)境溫度下進(jìn)行多次仿真。影響靜態(tài)工作點(diǎn)(Q點(diǎn))穩定性的因素很多，例如電路參數變化，管子老化等，其中最主要的因素是BJT的特性參數隨溫度發(fā)生變化。硅管的VBE和β受溫度的影響較大，這是硅管的特點(diǎn)。為了研究Q點(diǎn)隨溫度的變化，對Q點(diǎn)進(jìn)行了溫度掃描分析，得到不同溫度下晶體管的結點(diǎn)電位。繪制出VCE和VBE隨溫度變化的曲線(xiàn)如圖5所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/191064.htm
由圖可見(jiàn)，隨著(zhù)溫度的升高，VCE和VBE呈線(xiàn)性下降。VBE的線(xiàn)性擬合方程為：
式中：溫度系數為-1．25 mV／℃。硅管VBE的溫度系數一般為-2．2 mV／℃。比較發(fā)現，這里VBE的溫度系數較小，這是因為在該射極偏置電路(也稱(chēng)自偏置電路)中，發(fā)射極電阻的直流負反饋穩定了Q點(diǎn)，從而大大減小了溫度變化對Q點(diǎn)的影響。
2 單管共射放大電路的動(dòng)態(tài)指標
2．1 電壓增益
根據圖3的輸入／輸出信號波形圖，可以計算出該放大電路的電壓增益：
利用H參數小信號模型，繪制如圖6所示的放大電路小信號等效電路。由此模型得到電壓增益的表達式：
式中：交流電流放大系數采用直流系數β=IC／IB；β由靜態(tài)工作點(diǎn)的基極和集電極電流進(jìn)行計算。利用下列公式估算rBE：
將數值帶入式(4)，得到電壓增益為-20．86，與仿真結果比較接近。從式(4)發(fā)現，電壓增益隨RE1阻值的增加而減小。為了觀(guān)察RE1對電壓增益的影響，對RE1進(jìn)行了參數掃描分析。選擇RE1為參數掃描分析元件，RE1的阻值設置為100 Ω，200 Ω，300 Ω和500 Ω，且觀(guān)察其阻值變化對輸出波形的影響，分析結果如圖7所示。中間幅值最小的曲線(xiàn)是輸入信號，其他是不同阻值下的輸出信號。
由圖7可見(jiàn)，隨著(zhù)RE1阻值的增加，輸出信號的幅值逐漸下降。參數掃描分析結果與式(4)的結論是一致的。那么能否把RE1的阻值設置為零，以獲得高電壓增益呢：圖8是RE1為零時(shí)的輸入／輸出波形圖。由圖發(fā)現，雖然輸出幅值有所增加，但是輸入／輸出波形出現了明顯的相移。因此將RE1的阻值設置為100 Ω。
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