中頻脫磁器的原理與設計

由于整個(gè)震蕩衰減過(guò)程需要20ms以上的時(shí)間，所以SCR2控制信號的高電平時(shí)間應該大于20ms，超過(guò)了交流電周期（20ms），因此將SCR2的控制信號導通時(shí)間預留2個(gè)交流電周期（40ms），這樣就有足夠的時(shí)間完成震蕩衰減過(guò)程?？梢?jiàn)，完成一次對C1充電和震蕩衰減的全過(guò)程，總共需要3個(gè)周期（60ms）。通常脫磁線(xiàn)圈的長(cháng)度大于50cm，如果礦漿的流速約1.5～3m/s，則通過(guò)脫磁線(xiàn)圈的時(shí)間是160～330ms，所以鐵粉能有2～5次被衰減的磁場(chǎng)退磁。

圖4 控制電路原理

1 硬件電路
控制單元電路由核心器件stc12c4052ad單片機和外圍器件構成，原理和功能如下。

stc12c4052ad單片機自帶A/D轉換器，具有高速、高可靠性，強抗靜電（過(guò)4kV快速脈沖干擾），強抗干擾，寬電壓，不怕電源抖動(dòng)等特點(diǎn)。它完成同步信號檢測（P3.2口，int0中斷輸入端）、控制信號輸出（P3.4、P3.5）、輸出強度調整（P1.1）和工作狀態(tài)指示等功能；整流橋Z1、三端穩壓塊u2等構成穩壓電源，為整個(gè)控制電路提供電源；r1、r2、Q2等完成交流同步信號的輸入，其中，r1、C7、r2、C8濾除高頻脈沖的干擾，同步信號輸入到單片機的int0端；整流橋z2、z3、Q3、Q4等構成獨立的電源，分別驅動(dòng)可控硅SCR1、SCR2；光耦G1、G2將低壓控制電路與高壓驅動(dòng)電路隔離，既保證了控制芯片和人身安全，同時(shí)具有抗干擾作用；三極管Q1及周?chē)娐?，用于上電延時(shí)。上電時(shí)，C14不能突變，所以Q1處于截止狀態(tài)，Q3、Q4都不能導通，在單片機初始化完成后，P3.4、P3.5處于正常狀態(tài)時(shí)，Q1進(jìn)入導通狀態(tài)，避免了SCR1和SCR2同時(shí)導通。

2 控制流程
圖5是主程序流程圖。由于電路中的可控硅觸發(fā)時(shí)間要求嚴格，所以，程序中分別使用了定時(shí)器T0作為SCR1充電的觸發(fā)定時(shí)信號，定時(shí)器T1作為SCR2放電時(shí)間的定時(shí)信號。

圖5 主程序流程

結論
綜上所述，脫磁器的輸出波形是影響脫磁效果的關(guān)鍵因素，波形的參數包括頻率、幅度、完整的衰減過(guò)程。這也是用戶(hù)在選擇脫磁器時(shí)和使用、維護、維修時(shí)更應該關(guān)心的問(wèn)題。