晶體變換器簡(jiǎn)介及其設計
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圖20所示的為各種性能。由其中的圖(C)所示的順?lè )较騻鬟_電導|yfs|特征，可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V時(shí)，|yfs|=23mS。 本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/186482.htm
圖20 3SK73的諸項特性
(此為使用廠(chǎng)商的數據規格所做的設計。在G2電壓(AGC電壓)為0~2V時(shí)，電功率放大率為l0~24dB變化。)
根據以上的條件，從圖(a)與圖(b)的特性可以求出漏極電流ID=14mA。
可是，如圖(e)所示，在外部溫度Ta達到75℃時(shí)，漏極電功率損失PD必須控制在150mW以下。此時(shí)，可以求出漏極-源極間電壓VDS=150/14=10.7V。
根據3SK73GR的IDSS分類(lèi)，有6mA~14mA。由特性圖可以看出，所流通的ID值較大，為考慮余裕度，電源電壓設計為6V。
圖(d)所示的為AGC (Automatic Gain Contro1)電壓與噪聲指數NF，以及電功率放大率Gps的關(guān)系。此所示的雖然為在VG1S＝0V時(shí)的數據，但是，相當不太大，因此，可以直接如此使用。
ACC電壓是指VG2S，在VG2S=4V時(shí)，NF約為2dB。此一數值對于高頻率放大電路而言，還算可以。
電功率放大率約為25dB。VG2S為0～4V變化時(shí)，其放大率為在+10～+25dB間變化。也即是，利用VC2S，可以改變的放大率約為15dB。
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