電力電子器件與應用

電力場(chǎng)效應管的驅動(dòng)和保護

為提高其開(kāi)關(guān)速度，要求驅動(dòng)電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。還需要一定的柵極驅動(dòng)電流。

開(kāi)通時(shí)，柵極電流可由下式計算：

（1）

關(guān)斷時(shí)，柵極電流由下式計算：

（2）

式（1）是選取開(kāi)通驅動(dòng)元件主要依據，式（2）是選取關(guān)斷驅動(dòng)元件的主要依據。

電力場(chǎng)效應管的一種驅動(dòng)電路

IR2130可以驅動(dòng)電壓不高于600V電路中的MOSFET，內含過(guò)電流、過(guò)電壓和欠電壓等保護，輸出可以直接驅動(dòng)6個(gè)MOSFET或IGBT。

TLP250內含一個(gè)光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測器，具有輸入、輸出隔離，開(kāi)關(guān)時(shí)間短，輸入電流小、輸出電流大等特點(diǎn)。適用于驅動(dòng)MOSFET或IGBT。

（四） 絕緣柵雙極型晶體管

IGBT的結構和基本原理

IGBT也是一種三端器件，它們分別是柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

擎住效應

擎住效應 由于IGBT復合器件內有一個(gè)寄生晶閘管存在，當IGBT集電極電流Ic大到一定程度，可使寄生晶閘管導通，從而其柵極對器件失去控制作用，這就是所謂的擎住效應。

IGBT的驅動(dòng)電路

驅動(dòng)的基本要求

要有較陡的脈沖上升沿和下降沿

要有足夠大的驅動(dòng)功率

要有合適的正向驅動(dòng)電壓UGE

要有合適的反偏壓 反偏壓一般取為-2～-10V

驅動(dòng)電路與控制電路之間最好進(jìn)行電氣隔離

驅動(dòng)電路

適用于高頻小功率場(chǎng)合的驅動(dòng)電路

IGBT驅動(dòng)電路實(shí)例一

適合于中大功率場(chǎng)合的驅動(dòng)電路

IGBT驅動(dòng)電路實(shí)例二

IGBT專(zhuān)用集成模塊驅動(dòng)電路

比較典型的有日本三菱公司的M57918L

電力電子器件的緩沖電路和串并聯(lián)

緩沖電路