大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)
IGBT關(guān)斷時(shí)為反向偏置,對應安全工作區為反偏安全工作區RBSOA。除了電流電壓邊界外,另一邊界為器件關(guān)斷后的重加電壓上升率。因此,電壓變化率越大,安全工作區越小。實(shí)際上,這就是因為IGBT動(dòng)態(tài)擎住效應的限制的緣故。所以在弧焊逆變電源的設計中,限制過(guò)電流和過(guò)電壓、改善器件的運行特性以及降低功耗,都有重要的意義。在不同的工作狀態(tài)下,保證IGBT在安全工作范圍內并處于較好狀態(tài)下,是提高整機可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/181343.htm
3.IGBT的保護措施
由于其結構和安全工作區知IGBT的可靠與否主要由以下因素決定:
1、柵極與發(fā)射極電壓
2、集電極與發(fā)射極電壓
3、流過(guò)集電極的電流
4、IGBT的結溫
以上的四個(gè)因素在工作環(huán)境惡劣的弧焊逆變電源中都是需要注意的,尤其是第二項和第三項是我們在設計保護電路中重點(diǎn)考慮的內容。
3.1 IGBT柵極的保護
IGBT的柵極-發(fā)射極驅動(dòng)電壓
的保證電壓為
,因此在IGBT的驅動(dòng)電路應當設置柵極壓限幅電路;另外由于焊接電源設備工作環(huán)境非常惡劣,在運輸或振動(dòng)過(guò)程中可能會(huì )使柵極回路斷開(kāi),這時(shí)如果電源設備開(kāi)始工作,則隨著(zhù)集電極電位的變化,由于柵極與與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極-發(fā)射極間有電流流過(guò)。這時(shí)若集電極和發(fā)射極處于高壓狀態(tài)時(shí),會(huì )使IGBT發(fā)熱,極易引起IGBT損壞。為防止此類(lèi)情況發(fā)生,可在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只 的電阻,此電阻應盡量靠近柵極與發(fā)身極。如圖3所示。
圖3
3.2 集電極與發(fā)射極的過(guò)壓保護
弧焊逆變電源進(jìn)入焊接狀態(tài)時(shí),輸出端即從空載轉入接近短路狀態(tài),這時(shí)要求輸出電流必須處于所需要的恒定狀態(tài)。理論上,采用恒流閉環(huán)控制系統即可以控制電源的短路電流,但實(shí)際短路時(shí),輸出電壓很低,即IGBT的工作脈寬很窄,才能保證輸出電流恒定,這就造成了IGBT在很短的導通期間,吸收電容未分放電而馬上關(guān)斷,且因分布電感和漏感的影響,IGBT的關(guān)斷是在承受較高的反壓下進(jìn)行的,極易使IGBT損壞,為了使IGBT 關(guān)斷過(guò)電壓能得到有效的抑制并減少關(guān)斷損耗,需要給IGBT主電路設置關(guān)斷緩沖吸收電路。IGBT的關(guān)斷緩沖吸收電路分為充放電型和放電阻止型,從吸收過(guò)電壓的能力上來(lái)說(shuō),充放電型效果較好,所以可在弧焊逆變電源中的IGBT過(guò)壓保護緩沖電路可采用圖4所示緩沖吸收電路:
圖4
在此硬件電路的基礎上,結合單片機的控制系統可檢測輸出電壓低于某一設定值時(shí),單片機便認為負載電弧是處于短路狀態(tài),這時(shí)單片機便對IGBT的最小脈沖寬度進(jìn)行限制,以保證吸收電容有足夠的放電時(shí)間,從而降低IGBT的關(guān)斷反向電壓。同時(shí)為保證輸出電流恒定,單片機在判斷輸出為短路時(shí)將逆變器的等脈沖寬度調節(PWM)變?yōu)轭l率調節控制(PFM),即脈沖分頻控制,輸出電壓越低,輸出脈沖的頻率越低。其單片機程序過(guò)程如圖5所示:
這與傳統的簡(jiǎn)單限流或直接關(guān)閉IGBT的控制方式有本質(zhì)的區別,它是利用單片機的智能性改變其工作方式來(lái)保護IGBT的安全,從而可靠的保證IGBT的安全。
3.3 過(guò)流保護
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