低功耗寬頻帶LDO線(xiàn)性穩壓電路設計

　　我們基于HHNEC 0.35um BCD 工藝下，采用cadence 和Hspice 仿真軟件對整體電路做仿真，如圖6 所示為LDO 環(huán)路穩定性仿真曲線(xiàn)。

（a）負載電流為50mA 仿真曲線(xiàn)

（b）負載電流為0 時(shí)仿真曲線(xiàn)

圖6 LDO 環(huán)路穩定性仿真曲線(xiàn)

　?。╝） 圖為負載電流為50mA 時(shí)，LDO 環(huán)路增益為50dB、單位增益帶寬為470KHZ、相位裕度為74degree。（b）圖為負載電流為0 時(shí)，LDO 環(huán)路增益為63dB、單位增益帶寬為1KHZ、相位裕度為87degree。圖7 給出了該LDO 的線(xiàn)性調整率曲線(xiàn)，仿真條件為C _L=1μF, 由仿真曲線(xiàn)可以看出該LDO 的線(xiàn)性調整率為：

圖7 CL=1μF 線(xiàn)性調整率曲線(xiàn)

　　圖8 給出了該LDO 的負載調整率曲線(xiàn)，仿真條件為CL=1μF, 由仿真曲線(xiàn)可以看出該LDO 的負載調整率為：

圖8 CL=1μF 負載調整率曲線(xiàn)

　　圖9 給出了該LDO 的電源抑制比仿真曲線(xiàn)，仿真條件為IL=1mA。從該曲線(xiàn)可以看出，該LDO 的PSRR 在1KHZ時(shí)為- 60dB。

圖9 電源抑制比仿真曲線(xiàn)

　 4 結論　　

本文提出的這款LDO 線(xiàn)性穩壓器，能保證在μF 級別的寄生電容范圍內都可以正常工作。

　　該LDO 的靜態(tài)電流低至10μA,文中同相放大器的引入，提高了整個(gè)LDO 的帶寬。從仿真結果可以看出，在負載電流Iload=50mA 時(shí)，帶寬為470KHz。

　　該LDO 其它各方面指標都滿(mǎn)足設計要求。