GPS校頻的壓控振蕩器設計

LC型VCO的特點(diǎn)是：由于LC諧振腔的Q值很高，因而這種類(lèi)型的VCO的相位噪聲很低，因而常用于對頻率抖動(dòng)要求非常低的頻率合成器中。并且這種結構的工作頻率只與電感L和電容C有關(guān)，通過(guò)減小電感或電容并減小電路的寄生電容可以使得電路工作在很高的工作頻率下。

圖3是常見(jiàn)的負跨導LC型VCO結構，從MOS管漏端反饋回來(lái)的信號通過(guò)另一個(gè)MOS管反饋到該MOS管的源端，假設MOS管的跨導為gm，則從圖3(a)虛線(xiàn)端向上看的阻抗是-2／gm，這是一個(gè)負阻，它是由兩個(gè)交叉MOS管正反饋所產(chǎn)生的。通常，如果要使得振蕩器振蕩，這個(gè)負阻應小于或等于LC諧振腔的等效并聯(lián)內阻，也就是說(shuō)MOS管的跨導越大，負阻越小，電路越容易振蕩。在振蕩情況下，電路的振蕩頻率與L和C有關(guān)，即為，電容C是壓控電容，通過(guò)調節電壓Vcont可以調節電容的大小，從而改變電路的振蕩頻率。圖3(b)，(c)的結構與圖3(a)相似，圖3(a)結構對電源噪聲的抑制能力較強，圖3(b)結構對地噪聲的抑制能力較強，圖3(c)兼有前兩種結構的優(yōu)點(diǎn)，而且只需一個(gè)電感就能實(shí)現，這樣可以減小前兩種結構電感不對稱(chēng)造成的電路共模抑制能力降低的問(wèn)題。相對于前面兩個(gè)電路，這個(gè)電路也有缺點(diǎn)，即該電路有2個(gè)電流源，因而電源噪聲較大。
圖4是一種差分結構的LC型VCO，假定NMOS與PMOS具有相等的跨導gm，則這種結構的負阻為～1／gm，比圖3結構的負阻減小1／2，由于，如果要使得圖4和圖3兩種結構具有相同的負阻，那么圖4結構所需的電流只有圖3的1／4，因而圖4結構更適于低功耗設計。
壓控電容可以由CMOS中的二極管的結電容來(lái)實(shí)現。由于結電容與二極管兩端的電壓有關(guān)，通過(guò)控制這個(gè)電壓就能控制結電容的大小。LC型VCO的頻率調節范圍與壓控電容有關(guān)，通常由于工藝限制，二極管的結電容變化在50％以?xún)?，相應的VCO的頻率調節范圍只有10％左右。因而采用這種結構的環(huán)路的頻率調節范圍有限，需要采用其它的輔助方法才能擴大頻率的調節范圍。頻率鎖定范圍也會(huì )影響VCO的增益，鎖定范圍越大，VCO的增益越大，而VCO增益越高，振蕩器的輸入噪聲就越大，這是因為在控制電壓上有個(gè)較小的噪聲干擾就會(huì )引起較大的VCO頻率變化，因而VCO的調節范圍和相位噪聲間要折中確定。