直流與反向供電通道的保護及其集成方案
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圖3所示為集成解決方案的細節框圖，由于采用的是背對背的N-MOS結構，通過(guò)第一個(gè)N-MOS（標識1）的門(mén)極，可以防止浪涌電流進(jìn)入系統內部，同時(shí)這個(gè)N-MOS也提供正向的過(guò)壓保護。
圖4 安森美OVP產(chǎn)品系列
背對背N-MOS結構的另一個(gè)N-MOS（標識2）提供-28V的過(guò)壓保護。之前采用的一般是P-MOS，但相對于P-MOS，N-MOS的導通電阻更低，使電池能夠工作在更低電壓下。同時(shí)N-MOS支持更大的電流，而且這個(gè)N-MOS還通過(guò)檢測電流來(lái)控制反向通道的浪涌電流，提供反向過(guò)流保護。
此外，方案還應提供過(guò)流保護（標識3），并且過(guò)流保護的電流值可以通過(guò)外部電阻設定。同時(shí)集成方案還要提供狀態(tài)標記引腳（標識4）以及邏輯控制引腳（標識5），并控制芯片的工作模式。
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