意法半導體(ST)完成NAND閃存產(chǎn)品70nm技術(shù)升級

意法半導體(ST)完成NAND閃存產(chǎn)品70nm技術(shù)升級，新產(chǎn)品開(kāi)始批量生產(chǎn) 

技術(shù)領(lǐng)先的512-Mbit小頁(yè)閃存和1、2、4、 8-Gbit 大頁(yè)閃存產(chǎn)品現已上市，
為各種消費電子和無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品提供海量存儲解決方案

意法半導體（紐約證券交易所：STM)宣布公司采用70nm 制造工藝的NAND閃存產(chǎn)品全線(xiàn)上市。512-Mbit (小頁(yè))和1/2/4/8-Gbit (大頁(yè))閃存升級到ST的先進(jìn)的70nm制造工藝，使該系列產(chǎn)品進(jìn)入NAND閃存技術(shù)的最先進(jìn)行列，升級后的產(chǎn)品價(jià)格低廉，功耗更小。 
高密度的存儲器芯片為各種計算機和消費電子應用產(chǎn)品提供海量數據存儲功能，例如，數碼相機、PDA、GPS導航系統、閃存卡和U盤(pán)、打印機、機頂盒（STB）、數字電視機、汽車(chē)多媒體系統和多媒體手機。
該系列全部產(chǎn)品都具有速度極快的數據傳輸和擦除功能。該系列產(chǎn)品的尋址線(xiàn)路和數據輸入/輸出通過(guò)一條8位或16位總線(xiàn)傳輸信號，這種多路復用技術(shù)不僅可以減少封裝引腳的數量，還允許系統使用一個(gè)模塊化的NAND接口，無(wú)需改變芯片的占板面積即可使系統自動(dòng)適應高密度或低密度閃存。 
ST還為新的存儲器芯片提供一套軟件工具，幫助用戶(hù)快速開(kāi)發(fā)使用新閃存芯片的應用產(chǎn)品，同時(shí)還能延長(cháng)產(chǎn)品的使用壽命。工具包括糾錯代碼(ECC)軟件；識別失敗的擦寫(xiě)操作并將無(wú)效存儲塊上的數據復制到有效區塊的壞塊管理(BBM)；通過(guò)在所有的存儲塊中分配擦寫(xiě)操作減緩芯片老化的平均讀寫(xiě)算法；文件系統OS本機參考軟件；硬件仿真模型。
存儲器由按頁(yè)讀寫(xiě)的存儲塊組成。每個(gè)存儲頁(yè)都預留一個(gè)備用空間，通常用于糾錯代碼、軟件標記或壞塊識別。數據復制程序模式可以把存在某一頁(yè)的數據直接寫(xiě)到另一頁(yè)中，無(wú)需任何額外的緩存空間。新產(chǎn)品還提供一個(gè)擦除時(shí)間僅2ms的存儲塊擦除指令。每個(gè)存儲塊額定擦寫(xiě)循環(huán)100,000 次，數據保存期限10年。
新產(chǎn)品具有“無(wú)需介意芯片啟動(dòng)”（Chip Enable Don’t Care）功能，這個(gè)功能可以簡(jiǎn)化微控制器的接口設計，以及NAND閃存與其它類(lèi)型存儲器（NOR閃存和xRAM）的整合方法。在代碼和工作內存采用速度更快的存儲器，而大容量文件存儲采用成本更加低廉、密度更高的NAND閃存的應用中，不同類(lèi)型的存儲器芯片整合在一個(gè)封裝內是最常用的解決方案。