開(kāi)關(guān)電源設計原理及全過(guò)程(二)
4.1.1.2 Duty Cycle , fT:
4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)
4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :
Q1 MOSFET:
4.1.1.5 輔助電源(開(kāi)機,滿(mǎn)載)、短路Pin max.:
4.1.1.6 Static (full load)
Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff
90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7
115V/60Hz 18.6 031 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1
132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1
180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7
230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9
264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9
4.1.1.7 Full Range負載(0.3A-4A)
(驗證是否有振蕩現象)
4.1.1.8 回授失效(輸出輕載)
Vout = 8.3Vê90V/47Hz
Vout = 6.03Vê264V/63Hz
4.1.1.9 O.C.P.(過(guò)電流保護)
90V/47Hz = 7.2A
264V/63Hz = 8.4A
4.1.1.10 Pin(max.)
90V/47Hz = 24.9W
264V/63Hz = 27.1W
4.1.1.11 Dynamic test
H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise)
L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full)
90V/47Hz
264V/63Hz
4.1.1.12 HI-POT test:
HI-POT test一般可分為兩種等級:
輸入為3 Pin(有FG者),HI-POT test為1500Vac/1? minute.Y-CAP使用Y2-CAP
輸入為2 Pin(無(wú)FG者),HI-POT test為3000Vac/1? minute.Y-CAP使用Y1-CAP
DA-14B33屬於輸入3 PIN HI-POT test 為1500Vac/1 minute.
4.1.1.13 Grounding test:
輸入為3 Pin(有FG者),一般均要測接地阻(Grounding test),安規規定FG到輸出線(xiàn)材(輸出端)的接地電阻不能超過(guò)100MΩ(2.5mA/3 Second)。
4.1.1.14 溫N記錄
設計實(shí)驗定案後(暫定),需針對整體溫N及EMI做評估,若溫N或EMI無(wú)法符合規格,則需重新實(shí)驗。溫N記錄請參考附件,D5原來(lái)使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二極管 ),因溫N較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。
4.1.1.15 EMI測試:
EMI測試分為二類(lèi):
Conduction(傳導干擾)
Radiation(幅射干擾)
前者視規范不同而有差異(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用廠(chǎng)內的頻譜分析儀驗證;後者(范圍由30M - 300MHz,則因廠(chǎng)內無(wú)設備必須到實(shí)驗室驗證,Conduction,Radiation測試資料請參考附件) .
4.1.1.16 機構尺寸:
設計階段即應對機構尺寸驗證,驗證的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸…,若設計階段無(wú)法驗證,則必須在樣品階段驗證。
4.1.2 樣品驗證:
樣品制作完成後,除溫N記錄、EMI測試外(是否需重新驗證,視情況而定),每一臺樣品都應經(jīng)過(guò)驗證(包括電氣及機構尺寸),此階段的電氣驗證可以以ATE(Chroma)測試來(lái)完成,ATE測試必須與電氣規格相符。
4.1.3 QE驗證:
QE針對工程部所提供的樣品做驗證,工程部應提供以下交件及樣品供QE驗證。
開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)
1、功耗小,效率高。在開(kāi)關(guān)電源電路中,晶體管V在激勵信號的激勵下,它交替地工作在導通-截止和截止-導通的開(kāi)關(guān)狀態(tài),轉換速度很快,頻率一般為50kHz左右,在一些技術(shù)先進(jìn)的國家,可以做到幾百或者近1000kHz.這使得開(kāi)關(guān)晶體管V的功耗很小,電源的效率可以大幅度地提高,其效率可達到80%.
2、體積小,重量輕。從開(kāi)關(guān)電源的原理框圖可以清楚地看到這里沒(méi)有采用笨重的工頻變壓器。由于調整管V上的耗散功率大幅度降低后,又省去了較大的散熱片。由于這兩方面原因,所以開(kāi)關(guān)電源的體積小,重量輕。
3、穩壓范圍寬。從開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓是由激勵信號的占空比來(lái)調節的,輸入信號電壓的變化可以通過(guò)調頻或調寬來(lái)進(jìn)行補償。這樣,在工頻電網(wǎng)電壓變化較大時(shí),它仍能夠保證有較穩定的輸出電壓。所以開(kāi)關(guān)電源的穩壓范圍很寬,穩壓效果很好。此外,改變占空比的方法有脈寬調制型和頻率調制型兩種。開(kāi)關(guān)電源不僅具有穩壓范圍寬的優(yōu)點(diǎn),而且實(shí)現穩壓的方法也較多,設計人員可以根據實(shí)際應用的要求,靈活地選用各種類(lèi)型的開(kāi)關(guān)電源。
濾波的效率大為提高,使濾波電容的容量和體積大為減少。開(kāi)關(guān)電源的工作頻率目前基本上是工作在50kHz,是線(xiàn)性穩壓電源的1000倍,這使整流后的濾波效率幾乎也提高了1000倍;即使采用半波整流后加電容濾波,效率也提高了500倍。在相同的紋波輸出電壓下,采用開(kāi)關(guān)電源時(shí),濾波電容的容量只是線(xiàn)性穩壓電源中濾波電容的1/500~1/1000.電路形式靈活多樣,有自激式和他激式,有調寬型和調頻型,有單端式和雙端式等等,設計者可以發(fā)揮各種類(lèi)型電路的特長(cháng),設計出能滿(mǎn)足不同應用場(chǎng)合的開(kāi)關(guān)電源。
開(kāi)關(guān)穩壓電源缺點(diǎn):
開(kāi)關(guān)穩壓電源的缺點(diǎn)是存在較為嚴重的開(kāi)關(guān)干擾。開(kāi)關(guān)穩壓電源中,功率調整開(kāi)關(guān)晶體管V工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),它產(chǎn)生的交流電壓和電流通過(guò)電路中的其他元器件產(chǎn)生尖峰干擾和諧振干擾,這些干擾如果不采取一定的措施進(jìn)行抑制、消除和屏蔽,就會(huì )嚴重地影響整機的正常工作。此外由于開(kāi)關(guān)穩壓電源振蕩器沒(méi)有工頻變壓器的隔離,這些干擾就會(huì )串入工頻電網(wǎng),使附近的其他電子儀器、設備和家用電器受到嚴重干擾。
目前,由于國內微電子技術(shù)、阻容器件生產(chǎn)技術(shù)以及磁性材料技術(shù)與一些技術(shù)先進(jìn)國家還有一定的差距,因而造價(jià)不能進(jìn)一步降低,也影響到可靠性的進(jìn)一步提高。所以在我國的電子儀器以及機電一體化儀器中,開(kāi)關(guān)穩壓電源還不能得到十分廣泛的普及及使用。特別是對于無(wú)工頻變壓器開(kāi)關(guān)穩壓電源中的高壓電解電容器、高反壓大功率開(kāi)關(guān)管、開(kāi)關(guān)變壓器的磁芯材料等器件,在我國還處于研究、開(kāi)發(fā)階段。
在一些技術(shù)先進(jìn)國家,開(kāi)關(guān)穩壓電源雖然有了一定的發(fā)展,但在實(shí)際應用中也還存在一些問(wèn)題,不能十分令人滿(mǎn)意。這暴露出開(kāi)關(guān)穩壓電源的又一個(gè)缺點(diǎn),那就是電路結構復雜,故障率高,維修麻煩。對此,如果設計者和制造者不予以充分重視,則它將直接影響到開(kāi)關(guān)穩壓電源的推廣應用。當今,開(kāi)關(guān)穩壓電源推廣應用比較困難的主要原因就是它的制作技術(shù)難度大、維修麻煩和造價(jià)成本較高
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