IR推出專(zhuān)攻高頻開(kāi)關(guān)電源應用的經(jīng)濟型大功率150kHz IGBT

功率半導體專(zhuān)家國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務(wù)器系統中的大電流、高頻開(kāi)關(guān)電源電路。

全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。

IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富先生表示：“特別是在價(jià)格與性能同樣重要的應用中，最新WARP2 IGBT器件是功率因數校正 (PFC) 及零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 應用系統的最佳選擇。器件的通態(tài)損耗低于功率MOSFET，可創(chuàng )造更大效益，其拖尾電流極短，能有效工作于150kHz或以下頻率?！?/P>

嚴國富先生稱(chēng)，IGBT的電流密度優(yōu)于功率MOSFET，可減低器件數目，有助節省成本和改善功率密度。

全新WARP2 IGBT以IR的薄晶片技術(shù)制成，確?？s短少數載流子耗盡時(shí)間，加快關(guān)斷過(guò)程。此外，器件的拖尾電流極短、關(guān)斷切換損耗 (EOFF) 極低，可讓設計人員實(shí)現更高工作頻率。

WARP2 IGBT憑著(zhù)更完善的開(kāi)關(guān)性能，配合正溫度系數特性和更低柵開(kāi)通電荷，有效提高電流密度。若以并聯(lián)模式操作，它們可以像功率MOSFET一樣發(fā)揮極佳的電流均分性能。與功率MOSFET不同，它們的通態(tài)損耗能保持固定不變。

在TO-247封裝內，全新IGBT能處理高達50A電流，電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出85%；若采用TO-220封裝，則可處理高達20A電流，電容量比采用相同封裝的IR 600V MOSFET高出18%。

新器件現已投入供應。數據表詳載于IR網(wǎng)站www.irf.com